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第2单元 三极管及放大电路基础 第1节 三极管 一、三极管的结构和符号 二、三极管中的电流分配 三、三极管的特性曲线和主要参数 四、特殊三极管简介 三极管的结构和符号 一、三极管概述 三极管的种类很多，通常按以下方法进行分类。 （1）按半导体材料分，可分为硅管和锗管。硅三极管工作稳定性优于锗三极管，因此当前生产和使用的多为硅三极管。 （2）按内部基本结构分，可分为NPN 型和PNP 型两类。目前，我国制造的硅管多为NPN型（也有少量PNP 型），锗管多为PNP 型。 （3）按功率大小分，可分为小功率管、中功率管和大功率管。 （4）按工作频率分，可分为超高频管、高频管、低频管。 二、三极管的结构和符号 不管是NPN管还是PNP管，为了获得良好的特性，都是发射区高掺杂，基区掺杂浓度低，集电结面积尽量大。 三极管中的电流分配 一、三极管具有放大作用所具备的条件 1、内部条件：发射区进行高掺杂，多数载流子浓度很高；基区做得很薄，掺杂少，则基区中多子的浓度很低。 2、外部条件：三极管的发射结必须偏置，集电结必须反向偏置，即对NPN管，要求UCUBUE，对于PNP管，要求UCUBUE。 二、电流的分配关系 三极管的特性曲线和主要参数 一、输入特性曲线 （2）极间电流 ①集电极反向饱和电流ICBO：ICBO是指发射极开路，集电极与基极之间加反向电压时产生的电流作为晶体管的性能指标，ICBO越小越好。 ②穿透电流ICEO：ICEO是基极开路，集电极与发射极间加电压时的集电极电流。 （3）极限参数 ①集电极最大允许耗散功率PCM： 晶体管在使用时，应保证PCPCM。通常将PCM ≤1W 的三极管称为小功率管，将PCM ≥5W的三极管称为大功率管。对于功率较大的三极管，应加散热片，否则将烧坏三极管。三极管集电极功率计算公式为 PC = UCE IC ②反向击穿电压U(BR)CEO：指基极开路时，加于集电极—发射极之间的最大允许电压。 ③集电极最大允许电流ICM：晶体管工作在放大区时，若集电极电流超过一定值时，其β就要显著下降。当β值下降到正常值2/3时的集电极电流，称为晶体管的集电极最大电流，用ICM表示。 特殊三极管 一、光电三极管 将光信号转换成光电流信号的半导体受光器件，并且还能将光电流放大，又称为光敏三极管。 二、光电耦合器 将发光器件（LED）和受光器件（光电二极管或光电三极管）封装在同一个管壳内组成的电-光-电器件。 第2节 共发射极基本放大电路 截止失真：由于工作点偏低，输入信号在负半周有一部分进入截止区，使输出电压的正半周出现平顶畸变，称为截止失真。 微变等效电路法 第5节 工作点稳定问题 一、温度对静态工作点的影响 1、当温度升高时，为得到同样的IB，所需的UBE将减小。 2、温度升高时，三极管的β值也将增加。 3、温度升高时，三极管的反向饱和电流将随温度按指数规律急剧增加。 温度变化会影响三极管集电极电流。当温度升高时，集电极电流增大；当温度降低时，集电极电流减小。集电极电流的变化会影响放大电路的静态工作点，因此，温度变化将影响放大电路的静态工作点稳定。 二、静态工作点稳定电路 1、电路组成 2、静态分析 3、动态分析 第6节 放大电路的三种组态 一、共集电极放大电路 1、静态分析 2、动态分析 共集电极放大电路（射极输出器）的特点： 输入电阻大、输出电阻小、电压放大倍数小于1而接近于1，输出电压与输入电压相位同相。 虽然射极输出器没有电压放大作用，但仍有电流和功率放大作用。 二、共基极放大电路 1、静态分析 2、动态分析 图解步骤： （1）根据静态分析方法，求出静态工作点Q。 （2）根据ui在输入特性上求uBE和iB。 （3）作交流负载线。uCE=Ucc-iCRL’ 斜率为-RL’ （4）由输出特性曲线和交流负载线求iC和uCE。 放大电路动态工作的图解法 饱和失真：由于工作点偏高，输入信号在正半周时，放大电路进入饱和区，输出电压的负半周出现平顶畸变，称为饱和失真。 uCE t O ｔ O iC iＣ O uCE Q Q Q Q Q Q uCE t O ｔ O iC iＣ O uCE 三极管 的微 变 等 效 电 路 rce阻值很高，一般忽略不计。 输入回路 输出回路 βib ic C E rce E B ube ib ＋ － ic E C ib uce ＋ － ib B ube E rbe ＋ － ri ro RS RC RB RL ＋ － ＋ － ui uS uO ＋ － β RC rbe ＋ － RS RB RL ＋ － ib ib ui