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- 2019-02-15 发布于上海
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独 创 性 声 明
本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。
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摘要
摘 要
半导体纳米材料的制备以及其物理化学性能已经引起了人们的极大的关注, 究其原因,是因为此类材料普遍都具有非常明显的量子效应、表面效应、尺寸效 应和特殊的电子传导效应等独特的性质。作为一种宽禁带直接带隙的半导体化合 物材料,氧化锌(Zinc Oxide, ZnO)的禁带宽度在室温下达到了 3.37 eV 以及高达 60 meV 的激子束缚能,其化学和物理性能非常的优良。在目前的半导体纳米材料
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