半导体基础知识 1.pptVIP

1.1 半导体基础知识 半导体分类 一、本征半导体 二、杂质半导体  3、PN结的伏安特性 五、温度对晶体管特性及参数的影响 3、温度对输出特性的影响 2、温度对输入特性的影响 3、温度对输出特性的影响 1.5 晶闸管 3、晶闸管的工作原理 控制极不加电压（开路），当阳极A和阴极C之间加正向电压（A为高电位，C为低电位）时，PN结J1和J3处于正向偏置，J2处于反向偏置，故V1不能导通，晶闸管处于截止状态（称阻断状态） 当阳极A和阴极C之间加反向电压时，则J2处于正向偏置， 而J1和J3处于反向偏置，V1仍不能导通，故晶闸管还是处于阻断状态。 (2) 当控制极G和阴极C之间加正向电压（G为高电位，C为低电位），阳极和阴极之间加正向电压。触发导通过程。 4、晶闸管的伏安特性 例题：1 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 1、 一个实验 二 晶体管的电流放大作用 B E C mA 结论: 1. IE=IC+IB 3.要使晶体管放大,发射结必须正偏,集电结必须反偏。 2、电流放大原理 B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射