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- 2019-02-18 发布于北京
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第一章 半导体中的电子能量状态
晶体中能带的形成
物质
固体
液体
气体
非晶体
晶体
单晶体
多晶体
§1·1 半导体的晶体结构和结合性质 Crystal Structure and Bonds in Semiconductors
重点:
晶体结构:
1金刚石型: Ge、Si
2闪锌矿型: GaAs
3 纤锌矿型
共价键
混合键
1、金刚石结构
Si,Ge,C 等IV族元素,原子的最外
层有四个价电子
正四面体结构:每个原子周围有四个最近邻的原子。
共价键:
由同种晶体组成的元素半导体,其原子间无负电性差,它们通过共用一对自旋相反而配对的价电子结合在一 起。
金刚石结构:复式晶格。由两个面心立方晶格沿立方对称晶胞的体对角线错开1/4长度套构而成。
排列方式 以双原子层ABCABC
半导体的晶体结构
晶格常数a (埃)
Si
Ge
GaAs
5.43089
5.65754
5.6419
金刚石结构
闪锌矿结构
硅的原子密度5.00x1022cm-3
锗的原子密度4.42x1022cm-3
两原子间最短距离
硅:0.235nm
锗:0.245nm
金刚石结构的结晶学原胞
Ge: a=5.43089埃
Si: a=5.65754埃
Crystal Structure and Bonds in Semiconductors
2、闪锌矿结构和混合键
材
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