半导体中的电子能量状态.pptxVIP

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  • 2019-02-18 发布于北京
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第一章 半导体中的电子能量状态 晶体中能带的形成 物质 固体 液体 气体 非晶体 晶体 单晶体 多晶体 §1·1 半导体的晶体结构和结合性质 Crystal Structure and Bonds in Semiconductors 重点: 晶体结构: 1金刚石型: Ge、Si 2闪锌矿型: GaAs 3 纤锌矿型 共价键 混合键 1、金刚石结构 Si,Ge,C 等IV族元素,原子的最外 层有四个价电子 正四面体结构:每个原子周围有四个最近邻的原子。 共价键: 由同种晶体组成的元素半导体,其原子间无负电性差,它们通过共用一对自旋相反而配对的价电子结合在一 起。 金刚石结构:复式晶格。由两个面心立方晶格沿立方对称晶胞的体对角线错开1/4长度套构而成。 排列方式 以双原子层ABCABC 半导体的晶体结构 晶格常数a (埃) Si Ge GaAs 5.43089 5.65754 5.6419 金刚石结构 闪锌矿结构 硅的原子密度5.00x1022cm-3 锗的原子密度4.42x1022cm-3 两原子间最短距离 硅:0.235nm 锗:0.245nm 金刚石结构的结晶学原胞 Ge: a=5.43089埃 Si: a=5.65754埃 Crystal Structure and Bonds in Semiconductors 2、闪锌矿结构和混合键 材

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