半导体物理与材料.pptVIP

由这个电量引起的小信号扩散电容可以定义为: 因为扩散电流I和Qp都正比于exp(Va/Vt),因此 这个比值具有时间的量纲,时间常数为（正向扩散电流占优）: 可以写为： 即： 这个时间就是空穴扩散Wn距离的时间,叫做二极管基本渡越时间(base transit time). 而dI/dVa项是I-V特性曲线在给定电流I的斜率,如图,实际上就是给定 电流的二极管的小信号电导gs,当然也可以定义小信号电阻rd=1/gs. 根据I-V特性: 如果对于正向偏压Va大于0.1V,则exp(Va/mVt)＞＞1,忽略伏安特性中“-1”项，用I来代替,则: 因此扩散电容为: 这个分析忽略了当施加交流电时,并不是所有电荷都能够恢复这个事实.有些电荷扩散到了在Wn的欧姆接触点,从而流失.更精确的结果是上式电容再乘以系数2/3. I Va 二极管I-V特性曲线的 小信号电导dI/dVa 可以看出，反偏时，I趋于0，gs趋于0，因此扩散电容趋于0 . 对于PIN二极管,也可以进行同样的分析,自由载流子和电流都正比于注入载流子浓度.实际上这种情况下Q/I的比值等于载流子的寿命τ,因此扩散电容为: 这个结果也可以用于其它二极管(宽基,P+NN+). Rs rd Cdiff Cj 二极管的小信号等效电路 Rs是考虑材料体电阻和欧姆接触电阻的串联.在反向