晶体硅太阳能电池PECVD设备国产化现状及趋势 (1).docVIP

================精选公文范文，管理类，工作总结类，工作计划类文档，欢迎阅读下载============== 精选公文范文，管理类，工作总结类，工作计划类文档，感谢阅读下载 ~ PAGE \* MERGEFORMAT 1 ~ 晶体硅太阳能电池PECVD设备国产化现状及趋势 　　　　　　晶体硅太阳能电池PECVD设备国产化现状及趋势 　　　　胡立琼 王宝全 王娜 　　　　摘要：晶体硅太阳能电池行业的迅猛发展，对产业装备提出了越来越高的要　　求，介绍了当前几种主流的PECVD设备技术特点、相互区别，以及其中的高端设备——平板式PECVD设备技术发展趋势，并分析了当前国产太阳能电池设备的发展机遇、技术水平及行业现状。 　　　　关键词：PECVD设备, 晶体硅太阳能电池，国产设备　　0 前言 　　众所周知，自20世纪80年代以来，光伏产业已经成为全世界增长速度最快的高新技术产业之一，其中晶体硅太阳能电池技术更是占据了整个光伏技术的主导地位。顺应光伏市场需求的急剧增长，作为技术支撑的设备行业也随之获得了前所未有的高速发展。 　　装备业的发展为太阳能电池产业持续向前发展提供了有力的保证，其市场也得到了产业界越来越多的关注。但与半导体投资热潮下的“瓶颈”类似，设备研发与产业膨胀仍然存在着速度匹配的问题，尤其是在高端设备领域，大部分设备仍然需要依赖于进口。这一现状对于追求更低成本的晶体硅太阳能电池行业而言，已经成为了无法回避的重要问题。进口设备的价格昂贵，二手设备的市场混乱，使中国的太阳能电池行业正殷切期盼着本土设备的成长和崛起。　　　　1　　 晶体硅太阳能电池 　　PECVD是利用高频电源辉光放电产生等离子体进行化学气相沉积的过程。其特点是电 　　子密度高、电子平均能量大，富含大量化学气相沉积的活性粒子和自基，并且沉积温度低。在采用SiH4和NH3作为源气体沉积SiNx薄膜的过程中，于大量氢原子的存在，使所生成的薄膜除了具有减反射性能外，兼具有良好的表面和体钝化性能，这是因为在离子的轰击下，氢原子更容易扩散进入薄膜体内，从而提高膜的体钝化效果。不仅如此，PECVD等离子体中于含有高密度的离子，这些具有一定动能的离子对沉积的减反射钝化膜进行轰击，还会提高膜的质密性和应力。故PECVD设备是晶体硅太阳能电池生产线制备减反射钝化膜的　　PECVD设备特点 　　主要设备。与此同时，PECVD设备也是整条太阳能电池生产线的核心设备之一，市场调查资料表明，应用于晶体硅太阳电池生产线的PECVD设备价格已经占到了整条线设备价格的三分之一左右，是所有设备中比重最大的一部分。 　　目前市场上主流的PECVD设备技术按照反应器结构和等离子体发生源的不同，分为管式和平板式PECVD，直接式PECVD和间接式PECVD。下面将分别就这几种主流的PECVD设备技术进行比较。 　　管式与平板式PECVD设备的比较 　　根据反应器结构的不同， PECVD设备可分为管式和平板式两种。 　　与平板式PECVD设备相比，管式PECVD设备结构最大的区别在于其阴阳极板不止一对，而是有很多对。从图1所示的管式PECVD设备结构示意图中可以看出，管式PECVD中，基片沿极板立式放置，可以摆放很多组。基片加热采用石英管外部加热法，避免反应过程中加热器溅射污染基片及反应环境。放电频率一般采用低频或中频，常用的频率值有：40kHz, 450kHz及460kHz等。于采用了多组电极对的电极结构，每一组电极面积相对较小，有利于小范围内成膜的均匀性。但是管式PECVD设备的载板在进出舟时炉管是开放的，暴露在大气中，大气可以进入到炉管内，从而导致交叉污染，对成膜质量和工艺稳定性有影响。同时，相比较于平板式PECVD，管式设备自动化程度较低，装卸片过程中出现的碎片率明显高于平板式。 　　图1 管式PECVD设备结构示意图 　　常用的平板式PECVD设备通常是多腔室连锁式的，如图2所示。其设备结构采用若干个相互分离的腔室来实现不同的基片处理目的，当然也可以在多个腔室里分别沉积不同的膜层来实现连续淀积多层薄膜而不致出现交叉污染的现象。平板式PECVD设备的自动化程度通常较高，不同的腔室之间采用互锁连接，同一批样品从一个腔室到另一个腔室之间的传送始终是在真空密闭的条件下进行，无中断真空系统的环节，从而使反应室始终没有暴露于大气的机会，保持了纯净度较高的工艺环境，有利于成膜质量的提高和工艺的稳定。多个连锁式腔室的设计可以根据需要对产品进行预热或冷却，也可以根据生产线需求增加工艺腔室的个数，从而大大提高设备的使用效率