基于ZnO薄膜的发光器件电抽运随机激射性能的改善-材料科学与工程专业论文.docxVIP

摘要摘要 摘要 摘要 ZnO具有3．37 eV的直接带隙和60 meV的激子束缚能，被认为是优异的制 备紫外发光器件的半导体材料。近十年来，基于ZnO的紫外发光器件被广泛研 究。随机激射是发生在无序光增益介质中的一种发光现象，使其发生的两个必要 条件是光增益和多重光散射。ZnO具有高激子束缚能和高折射率，这有利于产生 光增益和光的多重散射，因而ZnO被认为是实现紫外随机激射的理想材料。自 ZnO粉末和薄膜的光抽运随机激射现象被报道以来，关于ZnO材料随机激射的 研究方兴未艾。从实际应用的角度来说，实现并优化ZnO电抽运随机激射具有 重要意义。近年来，在ZnO电抽运随机激射方面的研究取得了相当大的进展。 尽管如此，在降低电抽运随机激射的阈值电流和开启电压以及提高其光输出功率 等方面仍需付出更大的努力。本文在实现基于ZnO薄膜的金属．绝缘体．半导体 (MIS)器件的电抽运随机激射的基础上，从材料和器件两个方面着手来增强 ZnO薄膜电抽运随机激射的性能，并阐明相应的物理机制，取得了如下主要创新 成果： (1)对比研究了分别以溅射法和低温水热法制备的ZnO薄膜为发光层的 MIS器件的电抽运随机激射的性能。这里，利用低温水热法制备的ZnO薄膜晶 粒尺寸为200nm左右，约为溅射法制备的ZnO薄膜晶粒尺寸的2倍；此外，水 热法制备的ZnO薄膜的表面更为粗糙，且含有一定数量的孔洞。不过，光致