核电子学 1课件.ppt

理想基线恢复器 电容作为基线电平记忆元件，信号未到达时，开关S闭合，等于基线电平 。一旦信号加入，信号通过控制器使S打开，因为： 为基线电平， 为信号，则 实际上这种理想基线恢复电路是很难实现的，通常采用一些较简单办法来近似模拟这一理想系统，其基本原则是：信号出现之前电容能尽可能跟踪基线电平；当信号一出现，保持不变。 无信号输入时，基线电平对电容充电，电容两端电压近似等于基线电平Vb 信号叠加基线电平输入时V1(Vs+Vb)，V2=V1-Vb=Vs 信号结束，电容迅速充放电，使得电容两端电压近似等于此时基线电平 CD基线恢复器 v1 vb v2 CD基线恢复器 最简单的基线恢复器是由电容和二极管构成，二极管D近似起到开关S的作用，D的导通或截止取决于V2 的正或负。 此电路对于单极性正输入信号，其基线电平为负值，具有一定基线恢复功能，它使二极管D起到开关的作用，对于负信号，就起不到基线恢复作用。 实际上二极管D不是理想开关，导通时存在一定正向电阻，而截止时存在有限的阻抗值。 V2 V1 为了进一步减小正向电阻，可采用如图所示的有源CD基线恢复器。把二极管作为运算放大器反馈元件，使D的等效正向电阻为 ，而反向电阻仍为 。 CD基线恢复器 CD基线恢复器的缺点： 它只适应单极性信号，若信号存在下冲，下冲过后基线恢复器的速度很慢（以 时间常数恢复）； 基线迅速上升时，（即基线变化速率较大时）由于 时间常数不是十分小，因而C上电压跟不上基线变化，造成在一段时间内输出电压 还会叠加上一定基线电平，因而在基线变化速率不大时才能比较好地发挥作用。 CDD基线恢复器 无源CDD恢复电路 无源CDD基线恢复电路： 针对CD基线恢复器的只适应单极性缺点，提出了CDD基线恢复器（又称罗宾逊基线恢复器），其原理见图。 V1=Vs+Vb V2=V1-Vc 当 Vc=Vb ， V2=Vs 无信号，基线电平输入,时间足够长，则电容电压Vb 正信号叠加电平输入Vs+Vb，D1截止，D2导通，以I2对电容充电，充电时间tw,则输出电压Vs-（I2/c）*tw 信号结束，只有基线电平输入，则输出-（I2/c）*tw Vb Vb 0 Vs+Vb Vb+（I2/c）*t Vs- （I2/c）*t Vb -（I2/c）*tw +（I2/c）*t Vb+（I2/c）*tw -（I2/c）*t 无信号，基线电平输入,时间足够长，则电容电压Vb 负信号叠加电平输入-Vs+Vb，D2截止，D1导通，以I2流向电容，放电时间tw,则输出电压-Vs+（I2/c）*tw 信号结束，只有基线电平输入，则输出（I2/c）*tw 对于双极性和信号基线的双向变化，包含了正信号对电容的充电和和负信号放电过程，最后电压I2*（tw1-tw2）/C Vb Vb 0 Vb-（I2/c）*t -Vs+ （I2/c）*t Vb （I2/c）*tw-（I2/c）*t Vb-（I2/c）*tw+（I2/c）*t -Vs+Vb 它与理想的基线恢复器差别在于: 记忆住基线电平所需时间不是零而时间 。 对于信号（例如是正信号），在信号持续期间内，对电容器C也要进行充电，在电容器上建立电压为 ?V=TwI2 / C ，其中 为信号宽度。这与理想基线恢复器也存在一定差别（理想情况下），输出信号平顶有一定下降。信号一结束，在 时间内将充在电容上的电荷放掉。输出端恢复到零电平。 无源CDD恢复电路 5 高能量分辨率高计数率谱仪放大器 随着高分辨半导体探测器的出现和使用，要求建立适应高能量分辨率高计数率测量用的谱仪放大器，在采用线性放大、滤波成形、基线恢复等技术的基础上，又发展了堆积拒绝技术。目前，比较完善的放大器除了基本放大节和滤波成形电路外，将堆积拒绝电路、基线恢复电路都组合在一起，称为高能量分辨率高计数率谱仪放大器，也称为反堆积放大器。 在高分辨率能谱仪中，影响谱仪能量分辨率的因素有：射线及电荷收集的统计涨落、探测器及放大器的噪声、信号堆积引起的基线偏移。 一 堆积拒绝方法 尾堆积引起基线偏移，峰堆积可能使信号幅度发生很大变化。恢复基线的问题已在上一节说明，这一节专门讨论峰堆积信号的处理。 我们已