第二十讲CMOS摄像器件和红外焦平面器件.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 1.3、CMOS摄像器件 1990’s，CMOS技术用于图像传感器，其优点结构简单，耗电量是普通CCD的1/3，制造成本比CCD低，可将处理电路等完全集成。 1、CMOS像素结构 无源像素结构，1967，Weckler 无源像素单元具有结构简单、像素填充率高及量子效率比较高的优点。但是，由于传输线电容较大，CMOS无源像素传感器的读出噪声较高，而且随着像素数目增加，读出速率加快，读出噪声变得更大。 无源像素型（PPS）和有源像素型（APS） 由一反向偏置光敏二极管和一个开关管构成，开关管开启，二极管与垂直列线连通，信号电荷 读出。 有源像素结构APS（Active Pixel Structure ) 光电二极管型有源像素（PP－APS）1994，哥伦比亚大学 在像元内引入缓冲器或放大器，可改善像元性能，称为有源像素传感器。功耗小，量子效率高。每个像元有3个晶体管。大多数中低性能的应用 。 光栅型有源像素结构（GP－APS） 光栅型有源像素型CMOS每个像素5个晶体管，采用0.25um CMOS工艺允许达到5um像素间距，浮置扩散电容的典型值为10-14F量级，产生20uV/e的增益，读出噪声可达5-20均方根电子。成像质量高。 工作过程： 光生信号电荷积分在光栅PG下，浮置扩散节点A复位（电压VDD）；然后改变光栅脉冲，收集在光栅下的信号电荷 转移到扩散节点。复位电压水平与信号电压水平之差即传感器的输出信号。 1997年，东芝公司研制成功640*640像素光敏二极管型CMOS APS，像素尺寸5.6um*5.6um，具有彩色滤色膜和微透镜阵列。 2000年，美国Foveon公司和美国国家半导体公司采用0.18umCMOS工艺研制成功4096*4096像素CMOS APS，像素尺寸5um*5um，管芯尺寸22mm*22mm，是集成度最高，分辨率最高的CMOS固体摄像器件。 微透镜改善低光特性 CMOS APS图像传感器的功耗较小。但与PPS相比，有源像素结构的填充系数小，典型值为20%-30%。像素尺寸减小后低光照下灵敏度迅速降低，采用滤色片和在CMOS上制作微透镜组合以及CMOS工艺的优势，前景好于CCD。 外界光照射像素阵列，产生信号电荷，行选通逻辑单元选通相应的行像素单元，单元内信号电荷通过各自所在列总线传输到对应的模拟信号处理器(ASP)及A/D变换器，转换成相应的数字图像信号输出。 行选通单元扫描方式：逐行扫描和隔行扫描。 隔行扫描可以提高图像的场频，但会降低图像的清晰度。 行选通逻辑单元和列选通逻辑单元配合，可以实现图像的窗口提取功能，读出感兴趣窗口内像元的图像信息。 2、CMOS摄像器件的总体结构 MOS 摄像器件的工作原理： ΦY1 ΦY2 信号输出 Y 移 位 寄 存 器 X 移位寄存器 ΦX1 φX2 RL E MOS开关 光电二极管 A/D 数字信号输出 3、CMOS与CCD器件的比较 CCD摄像器件 灵敏度高、噪声低、像素面积小 难与驱动电路及信号处理电路单片集成，需要使用相对高的工作电压，制造成本比较高 CMOS摄像器件 集成能力强、体积小、工作电压单一、功耗低、动态范围宽、抗辐射和制造成本低 需进一步提高器件的信噪比和灵敏度 CMOS与CCD器件的对比 CCD vs. CMOS Integration Power Consumption Resolution Image Quality Speed Cost Excellent 20-50 mW Up to 12 Mpix Being improved Up to thousands frame/s Poor 2-5 W Up to 14 Mpix Historically best Usually up to 100 frame/s Nikon D100 ~$2,500 Canon 300D ~$800 1.4、红外焦平面器件 第三代红外热像技术 Infrared Focal Plane Arrays, IRFPA 红外热像仪的基本结构 红外热像仪的核心----红外焦平面器件 克服了主动红外夜视需要依靠人工热辐射，并由此产生容易自我暴露的缺点； ?克服了被动微光夜视完全依赖于环境自然光和无光不能成像的缺点; ?穿透烟雾和尘埃的能力很强； ?目标伪装困难； ?远距离、全天候观察； ?有很高的温度灵敏度和较高的空间分辨能力 热成像技术的优势： 由于这类器件工作是一般安放在成像透镜的焦面上，所以它们又被叫做红外焦平面器件（IRFPA）。