电子级三氯氢硅分析方法-中国有色金属标准质量信息网.DOC

行业标准《硅外延用三氯氢硅中其它氯硅烷含量测定 气相色谱法》 编制说明 一、任务来源 硅外延用三氯氢硅（TCS）是电子工业用的新型硅源气体，是广泛用于生产多晶硅和半导体器件的关键原料。硅外延用三氯氢硅中微量的杂质元素会对硅外延片的电学性能产生严重影响。硅外延层中微量的碳会形成碳化硅，1～3ppm的碳含量将会导致堆垛层错和氧的成核。用于半导体器件的硅外延层中氧含量越高，则电池片的光电转换效率越低；碳含量越高，应力越大，越容易破碎。因此，对硅外延用三氯氢硅（TCS）中杂质含量的分析控制是保证产品质量的重要环节。而全世界仅有少数厂家生产高纯度三氯氢硅， 我国高纯度三氯氢硅基本依赖进口，也没有相应的国家标准更没有相应的国家标准分析方法 。我公司为了顺应市场需求，通过近十年的工作，生产出质量稳定的硅外延用三氯氢硅，填补了国内空白，替代了进口三氯氢硅产品 。也开发完成了三氯氢硅中杂质成分的分析方法，为保证产品品质，提供了强有力的保障。 硅外延用三氯氢硅（TCS）主要含有三大类杂质成分，第一类是硼、磷、铁等杂质元素，第二类为其它氯硅烷杂质成分，第三类为含碳杂质成分。第一类杂质元素硼、磷、铁等的ICPMS分析方法国家标准，已由本公司起草完成并于2012年颁布发行。2013年本公司又申报了《硅外延用三氯氢硅化学分析方法 其它氯硅烷的测定》和《硅外延用三氯氢硅化学分析方法 总碳含量的测定》有色金属行业标准项目的制定，经国家标准化管理委员会和中国有色金属标准化计量质量研究所批准，下发了工信厅科〔2013〕102号文件，委托中锗科技有限公司负责起草有色金属行业标准《硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷含量的测定-气相色谱法》。项目计划编号为2013-0396T-YS，要求于2014年完成。 编制过程 经过大量的文献调研，了解到行业内对于三氯氢硅中氯硅烷成分的分析，多采用带TCD检测器的气相色谱法进行分析。在对现行测试能力进行分析后，本标准也决定采用气相色谱法测定硅外延用三氯氢硅中其它氯硅烷含量。本标准方法简便、快捷，仪器投入成本低，且能很好的满足分析的要求。我们按照全国有色金属标准委员会有色标准的编制原则、框架要求和国家的法律法规，编制完成《硅外延用三氯氢硅化学分析方法 其它氯硅烷含量的测定》国家标准送审讨论稿。 本标准在编制过程中，充分征求了硅外延片生产厂家及多晶硅生产厂家的意见，得到了半导体行业内专家的大力支持。本标准共发出标准征求意见函10份，回函单位8个，回函并有建议或意见的单位5个。对各单位提出的建议，经过认真的考虑，大部分建议给予采纳。对完善此标准起到了很好的作用。 2013年8月在深圳召开了标准讨论会。标准讨论会上，与会专家对标准进行了认真的讨论，提出了以下建议： 1）在范围内对其它氯硅烷进行标注，将其它氯硅烷改为其它氯硅烷（包括二氯二氢硅、四氯化硅） 2）对色谱柱的描述上补充一句：或其它等效色谱柱。 3）增加干扰因素部分。干扰因素包括：a、温、湿度控制。b、惰性气体操作箱内的空气必须用高纯气体置换干净。 附录部分在附录后表明此附录为资料性附录。 2014年5月份于苏州召开的半导体材料标准工作会议上，对《硅外延用三氯氢硅中总碳含量的测定-气相色谱法》（送审讨论稿）进行了讨论，标准讨论会上，与会专家对标准进行了认真的讨论，提出了以下建议： 将3方法提要里的峰面积百分比法改为峰面积归一化法，惰性气体改为惰性气体（氮气或氩气）。 5.2色谱柱描写不要太细，将载体描述去掉。 分析结果计算公式内要考虑校正因子。 9.1重复性限第二档定的偏差偏低。 5）标准文本内7.2.3所描述的关于样品重复进样，两次结果间得偏差范围的内容与重复性限部分的内容相重复，故将测量值偏差小于10%去掉。 6）标准文本内9.2允许差范围分段要再细一些。 我们针对与会专家提出的建议进行了认真的分析，采纳相关建议，对标准内容进一步完善。 三、主要技术内容的说明 1）色谱峰的分离。有效分离样品中各组分是保证分析结果准确的重要因素，本实验通过选择弱极性的色谱柱和程序升温方式实现了各样品组分的充分分离。 2）定量分析方法的选择。我们试验了外标法和面积归一化法对样品进行定量。两种方法的结果吻合度高。考虑到三氯氢硅样品标准物质难以配制，行业内大家都采用面积归一化法对样品定量。所以本标准最终也采用了面积归一化法进行定量。 3）试验情况及结果。从我们的实验情况来看，样品测试的回收率及精密度指标，完全能满足硅外延用三氯氢硅里其它氯硅烷含量的检测要求。具体内容见试验报告。 4）关于其他氯硅烷杂质成分的说明。粗三氯氢硅原料中可能存在的其他氯硅烷成分包括：一氯三氢硅、二氯二氢硅、四氯化硅和氯硅烷聚合物等（参考GB 28654-2012工业三氯氢硅）。由于一氯三氢硅和聚氯硅烷和三氯氢硅的沸点相差