硅光电探测器的发展与应用方向.pdfVIP

第6期(总第169期) 机械工程与自动化 NO．6 Dec． 2011年12月 MECHANlCALENGINEERINGAUTOMATION 文章编号：1672—6413(2011)06—0203·03 硅光电探测器的发展与应用 黄敏敏，朱兴龙 (扬州大学机械工程学院，江苏 扬州 225127) 摘耍：半导体光电探测器由于体积小、灵敏度商、响应速度快、易于集成，是最理想的光电探测器，典型的 包括PIN光电二极管、雪崩二极管以及硅光电倍增管。论述了它们的工作原理，以及在光纤通信，传摩系 统、高能物理、核医学等领域的广泛应用。 关键词：硅光电倍增管，雪崩二极管；PIN光电二极管#光探测器 t TN382文献标识码z 中围分类号：TN364．+1 0引言 光探测器是一种用来探测光或其他电磁辐射能量 1 PIN光电二极管 的装置，它把辐射能量转换成电流或电压，并从外部 图1为PIN光电二极管的工作原理图。它是一个 电路测量这些电流、电压值。通过测量这些输出响 在p—n二极管之间加入一个轻掺杂的本征区的探测 应，反过来可以测定相应的入射光强度或辐射强度。 器。图1(c)显示了跨越两端的内部电场，电场强度随 典型的光电探测器有光真空管(光电倍增管)、半导 着离二极管表面距离的变化而变化。PIN光电二极管 体光电二极管、半导体光导器件、热电偶等等。20 在本征区中的电场很强，当一个光子在这一区域被吸 世纪30年代时，人们对光的探测与研究用的是光电 收时，光子能量转换给新的载流子(电子和空穴对)， 倍增真空管(PMT)，真空管内部机械结构部分制造这些新产生的载流子根据自身极性，在电场作用下， 复杂，体积大而且对电磁干扰非常敏感。硅光电倍增 向不同方向漂移(电子朝向n区、空穴朝向P区)。如 管不仅在辐射测量领域应用广泛，在医学领域也受到 果外部电路再进行相连，此时就有光电流产生。 了人们的广泛关注，如正电子发射计算机断层扫描装 由于PIN光电二极管有很宽的本征区域，因此 Emission 置(PositronTomography，PET)。PET 有了一个较长的光波吸收区域和较快的时间响应。它 是目前惟一可在活体上显示生物分子代谢、受体及神 有很多应用，如衰减器、射频交换机和光纤系统中的 经介质活动的新型影像技术，但它缺乏对各断层面之 探测器。其噪声主要是暗电流和光的离散光子产生的 Resonance 间的扫描，而核磁共振成像(Magnet 散粒噪声。 Imaging，MRI)正好可以满足这一要求，它可以直2雪崩二极管(APD) 接做出各种体层图像，不会产生CT检测中的伪影， 图2为雪崩二极管的工作原理图。其中，h为普 无电离辐射，对机体没有不良影响。如果能把PET 朗克常量，口为幅射电磁波频率，E为能带宽度。 和MRI结合起来将会对医学研究和发展具有深远的 它本质上也是一个p—n二极管，与PIN光电二极管 意义。但是一直以来PET所使用的光探测器是相比，它具有内部增益，增益～般为105～106，可以 PMT，PMT并不能在强磁场中工作，从而限制了在吸收少量光子的情况下产生成百万的光电子。它对 MRI的发展，硅光电倍增管正好解决了这个问题， 光子的吸收原理跟PIN光电二极管相似，但分两个 使得PET和MRI的结合成为可能。本文将介绍几种 步骤：①光子在吸收区域被吸收，受内电场的作用， 典型的硅光电探测器以及它们的应用。