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读书笔记 《半导体制造工艺基础》 《半导体制造⼯艺基础》是美国施敏和梅凯瑞教授所写，介 绍 了半导体芯片的基本流程，深⼊浅出值得⼀读。同时也是中国 ⾼校半导体专业的教学教材。投⾏老范通过浓缩，将书中最精华 的内容进⾏了总结，更加 简化 了内容，梳理了本书 的逻辑框架， 省去 了计算部分，留下了⼯艺的核⼼部分，特别适合⼊门者学习， 感谢您的关注。 读书笔记总结 ：投⾏老范，某券商投⾏部投⾏民⼯，为企业 提供 IPO 上市保荐、融资、上市公司的并购重组再融资等服务。 投⾏老范半导体团队聚焦新⼀代信息技术，包括：芯片、AI 、5G 以及物联⽹（智慧车辆、智慧城市、智慧⼯业、智慧教育、智慧 家居等）。欢迎合作共赢（微信 。 第 章 前言 1 1、锗是最早的半导体材料，世界上第一只晶体管 1947 年发明，用锗 作为材料。 2、硅后来居上，成为应用最为广泛的半导体材料，原因是：一、便 宜，量多，二、硅的禁带宽度大，工作温度范围更广。三、容易融化 成二氧化硅氧化层。 3、砷化镓也应用较为广泛，优点是电子迁移率高，但是缺点是稳定 性差、氧化特性差、价格贵等。 4 、1949 年，半导体之父肖克利发表了划时代意义的论文：p-n 结和 双极型晶体管。双极型晶体管，包括 PNP 和 NPN 型，用不同的掺杂 方式，在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个 PN 结。 所谓的 P-N 结，解释如下： N 型半导体（N 为 Negative 的字头，由于电子带负电荷而得此名）： 掺入少量杂质磷元素 （或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半 导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子 的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不 受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N 型半导体就成为了含电 子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。 [1] P 型半导体（P 为 Positive 的字头，由于空穴带正电而得此名）：掺入 少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体 原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周 围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴” ，这个空穴可 能吸引束缚电子来“填充” ，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这 类半导体由于含有较高浓度的“空穴” （“相当于”正电荷），成为能够导 电的物质。 PN 结的形成。PN 结是由一个 N 型掺杂区和一个 P 型掺杂区紧密接触 所构成的，其接触界面称为冶金结界面。 在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成 N 型半导体， 另一边形成 P 型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为 PN 结。 在 P 型半导体和 N 型半导体结合后，由于 N 型区内自由电子为多子 空穴几乎为零称为少子，而 P 型区内空穴为多子自由电子为少子，在 它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓 度差的原因，有一些电子从 N 型区向 P 型区扩散，也有一些空穴要从 P 型区向 N 型区扩散。它们扩散的结果就使 P 区一边失去空穴，留下 了带负电的杂质离子，N 区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。 开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移 动的带电粒子在 P 和 N 区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间 电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。 在空间电荷区形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区 形成了内电场，其方向是从带正电的 N 区指向带负电的 P 区。显然， 这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。 另一方面，这个电场将使 N 区的少数载流子空穴向 P 区漂移，使 P 区 的少数载流子电子向 N 区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的 方向相反。从 N 区漂移到 P 区的空穴补充了原来交界面上 P 区所失 去的空穴，从 P 区漂移到 N 区的电子补充了原来交界面上