信息材料基础第二章微电子材料与器件 (1).ppt

* ( 可以看出，专家们认为，至少在未来 10 年内，IC 的发展仍将遵循摩尔定律，即集成度每 3 年乘以 4 ，而线宽则是每 6年下降一半。 硅技术过去一直是，而且在未来的一段时期内也还将是微电子技术的主体。目前硅器件与集成电路占了2000多亿美元的半导体市场的 95% 以上。 硅微电子技术发展的几个趋势 1、单片系统集成（SOC） 2、整硅片集成（WSI） 3、半定制电路的设计方法 4、微电子机械系统（MEMS） 5、真空微电子技术 硅技术以外的半导体微电子技术发展方向 1、GaAs 技术 电子漂移速度快（硅的5. 7倍），抗辐射能力强，因此在武器系统中有重要作用。 2、GeSi/Si 异质结技术 与目前已极为成熟的硅工艺有很好的兼容性，但可制成比硅器件与集成电路频率更高，性能更好的器件与集成电路，被誉为第二代硅技术。 3、宽禁带材料及器件技术 主要有 SiC 与 GaN 材料，主要优点是工作温度可高达 300 摄氏度以上，因此在军用系统中有重要的应用价值。 2.2.8 集成电路发展面临的问题 1、基本限制 如热力学限制。由于热扰动的影响，对数字逻辑系统，开关能量至少应满足 ES 4kT = 1.65×10 -20 J 。当沟道长度为 0.1 ?m 时，开关能量约为 5×10 -18 J。在亚微米范围，从热力学的角度暂时不会遇到麻烦。 又如加工尺度限制，显然原子尺寸是最小可加工单位，但现在的最小加工单位远远大于这个数值。 2、器件与工艺限制 3、材料限制 硅材料较低的迁移率将是影响 IC 发展的一个重要障碍。 4、其他限制 包括电路限制、测试限制、互连限制、管脚数量限制、散热限制、内部寄生耦合限制等。 2.2.9 集成电路基本工艺技术 器件设计 芯片制造 封装 电路设计 材料制备 Crystal Growth Slicing Graphite Heater Si Melt Si Crystal Polishing Wafering High Temp. Annealing Furnace Annealed Wafer Defect Free Surface by Annealing (Surface Improvement） Surface Defect Map Polished Wafer 横向加工：图形的产生与转移（又称为光刻，包括曝光、 显影、刻蚀等）。 纵向加工：掺杂（扩散、离子注入、中子嬗变等） ， 薄膜制备（蒸发、溅射、热氧化、CVD 等）。 在大规模集成电路制造过程中，光刻是最复杂、最昂贵和最关键的技术。光刻的成本占了总制造成本的 1/3 以上。在集成电路制造技术的发展过程中，光刻技术的贡献约占 2/3 。 芯片制造 涂光刻胶（正） 选择曝光 热氧化 SiO2 工艺流程举例（PN 结的制造） 去胶 掺杂 显影（第 1 次图形转移） 刻蚀（第 2 次图形转移） N P 蒸发镀 Al 膜 光刻 Al 电极 CVD 淀积 SiO2 膜 光刻引线孔 S G D N 沟道硅栅 MOSFET 剖面图 P N N CMOS 结构剖面图 2.3 微电子材料 衬底材料 栅结构材料 互连材料 钝化层材料 封装材料 硅基微电子学中的材料系统 2.3.1 衬底材料 锗（Ge）是最早用于集成电路的衬底材料。 Ge的优点： 载流子迁移率比硅高； 在相同条件下，具有较高的工作频率、较低的饱和压降、较高的开关速度和较好的低温性能。 Ge的缺点： 最高工作温度只有85℃，Ge器件热稳定性不如硅； Ge无法形成优质的氧化膜； Ge中施主杂质的扩散远比受主杂质快，工艺制作自由度小。 Ge禁带宽度0.72eV Si禁带宽度1.1eV 水平布里奇曼法示意图 用途：Ge、GaAs、GeSe、GeTe、ZnS等单晶