坩埚预处理技术在氮化铝晶体生长工艺中的应用-中国科技论文在线.PDF

中国科技论文在线 　第 35卷 第 6期 　 　　 　　　　　　人 　工 　晶 　体 　学 　报　　　 　　　　　 Vo l. 35　No. 6 　 2006年 12月 　　　　　　　　　 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS 　　　　　　　 　December, 2006 　 坩埚预处理技术在氮化铝晶体生长工艺中的应用 武红磊, 郑瑞生, 孙秀明 , 罗　飞 , 杨　帆 , 刘 　文 , 敬守勇 (深圳大学光电子学研究所 ,深圳 518060) 摘要 :在氮化铝晶体生长工艺中 ,坩埚的使用寿命是主要技术难点之一。实验发现 ,在钨坩埚体和盖之间放置内径 和外径与坩埚相同的石墨环 ,在氮气环境下进行一次高温处理 ,使钨坩埚体与盖接触的部位形成碳化钨保护层 ,可 以有效地解决高温下钨坩埚体与盖相粘结的问题 ,大大提高了坩埚的使用寿命。使用经过预处理的钨坩埚 ,用物 理气相法生长出 0. 8mm ×1. 5mm氮化铝单晶体和 36mm ×5mm 氮化铝多晶片。 关键词 :氮化铝晶体 ;物理气相传输 ;坩埚 中图分类号: O782 　 　 文献标识码 : A 　 　 文章编号 : 1000985X (2006) Applica tion of Pretrea ted Cruc ible Technology to the Growth of A lN Crysta ls WU Honglei, ZHENG R uisheng, SUN X iu m ing, LUO Fei, YAN G Fan, L IU W en, J ING S hou yong ( Institute of Op toelectronics, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) (Received 10M ay 2006) Abstract: The lifetime of the crucible is one of the main difficulties in the growth p rocess of A lN crystals. A graphite ring with the same internal and external diameters as the crucibles was inserted between the tungsten crucible and its lid. After a hightemperature p retreatment in nitrogen ambient for the crucible and graphite ring subassembly, a tungsten carbide p rotecting film was formed on the contacting area of the crucible and its lid. This p retreatment p rocess can avoid effectively the