多媒体教案-材料物理性能学-02-材料的电性能-201609-au讲述.pptVIP

电位差计法 比较双臂电桥和电位差计法，当样品电阻随温度发生变化时，用电位差计法比双电桥法精度高，这是因为双电桥法在高温和低温电阻时，较长的阴线和接触电阻很难消除。电位差计法的优点在于导线或引线的电阻不影响电位差计的电势Vx和Vn的测量。精密电位差计可以测量0.1微伏的微小电势。 标准四电极法 **载流子集体运动对体系电输运性能的影响 天津理工大学 材料科学与工程学院 马永昌 ycma@tjut.edu.cn 每个电子在金属内受晶格（离子实）的散射杂乱无章。——电子单体运动的典型实例 1975年发现NbSe3的非线性电导。 电子的运动模式改变 典型的电荷密度波材料结构(a)K2Pt(CN)4Br0.3?3.2H2O (b)(NbSe4)2I (c)K0.3MoO3。共同特征具有一维的链状结构。 准一维体系——电荷密度波材料的形态 (a)一维线性金属正常的状态。(b) 一维线性金属基态。晶格中原子远-近-远-近交替分配，空间电荷密度周期性分布。(格波动则密度波动) 正常时，密度波被杂质或缺陷钉扎； 如果外界电势差高于VT,则密度波这个电子集团开始滑移 PRL 59,1849 (1987) S. Bhattacharya et. al PHYSICAL REVIEW B 88, 125144 (2013) S. G. Zybtsev and V. Ya. Pokrovskii 电荷集体运动导致频率锁定，直流交流干涉效应，开关效应，射频微波探测；类孤子波传输。本征型的。 PRL 108, 036404 (2012) J. H. Miller, Jr. et. al 电荷密度波样品制备 准3维 Sr3Ir4Sn13, Ca3Ir4Sn13,BaBiO3 准2维 NbSe2, TaSe2, TaS2, NbS2, TiSe2, RETe3 人们已经发现的电荷密度波材料 准1维 NbSe3, TaSe3, TaS3, NbS3, (TaSe4)2I, (NbSe4)2I, NbTe4, TaTe4,ZrTe5, K0.3MoO3,Tl0.3MoO3, TTF-TCNQ 2.6 电介质材料简介 介电材料以感应方式工作，首先是绝缘体。 特别是指电导率低于百万分之一(10-6)西门子的物体。 真空理想平行板电容器 + — 根据C=Q/U，Q0=CU0， 自然成立的还有：C=ε0 (S/d)，U0=E0d U0 +Q0 -Q0 真空理想的平行板电容器模型 外加电压U0，充入电荷Q0 以此为基，看插入电介质后的平行板电容器 外加电场E，使得电容器充电 外加电场后，电介质极化，产生附加内电场E* 这是一个永远都会成立的自然规律，只要电介质 在微观上是由正负电荷组成即可。 附加内电场E*产生后，必定首先会抵消无电介质插入之前的外加电场E0，那么刚刚插入电介质的瞬间，对于电介质所占空间的瞬时电场强度：E暂=E0-E*。 而我们知道必有 U0=E稳d （ E稳:电介质所占空间的最终电场强度，应等于E0） 也就是说，刚刚插入电介质的瞬间， E暂≠E稳=E0 那么E暂是如何逐渐接近E稳的？ 那么E暂是如何逐渐接近E稳的？ —— 是充入电荷！！！ 电介质插入后，为什么会发生这样的现象？ —— 是附加内电场E*的产生！！！ 为什么E*会产生？ —— 这是一个永远都会成立的自然规律，只要电介质在微观上是由正负电荷组成。 —— 附加内电场E* —— 以下说法正确的是： 电子密度越大的金属材料，对应的电导率就越大； 材料的电阻率是其本质属性，与尺寸无关； 固体中正负离子不能参与导电； 金属银的电导率大于金属铜的，掺入少量的银到铜的基体后，体系电导率增加； 纯净的半导体一般没有掺杂半导体电导率大 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 2.2.2 离子电导与扩散 离子的尺寸和质量都比电子要大得多，在固体体系中其运动方式是从一个平衡位置（势阱）到另一个平衡位置（势阱）。从另外一个角度看，可以认为离子导电是离子在电场作用下的扩散现象。由Nernst-Einstein方程描述。 离子导电的影响因素 1）温度的影响：从前面的公式可以看出，温度是以指数的形式影响其电导率。 低温时，杂质导电；高温时，本征导电。 Lnσ-T-1的曲线拐点的含义： 1/ 离子导电机制发生变化； 2/ 导电载流子种类