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- 2019-02-22 发布于上海
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3.4.4、动态存储器DRAM刷新 结合前两种方式的优缺点后: 3)异步式刷新 采取2ms内分散地对128行刷新一遍,那么对于每一行平均刷新的 的时间间隔为 2ms / 128 = 15.625us,隔15.6us提出一次刷新请求。 提出刷新请求时,有可能CPU正在访存,可等待至CPU交出控制权 后,再安排刷新周期,所以称为异步刷新方式。 刷新时间内封锁读/写操作,这样对每行单元的刷新间隔仍为2ms。 相对于分散式刷新,它减少了刷新次数; 相对于集中式刷新,它的主机“死区”缩短了很多; 因此,这种方式使用比较多。 例2:某16位微机主存地址码为24位,按字节编址,使用1M*1位的DRAM芯片组成,存储周期为0.1μs( 1 ms=1000μs 微秒)。 请问该机 所允许的最大主存空间是多少?需要多少片DRAM芯片? 若假设1 M * 1 的芯片采用 1K * 1K 的存储矩阵,采用异步刷新方式,设存储元刷新最大间隔时间不超过8ms,刷新定时信号的间隔时间是多少? 解:因为主存地址码为24位,按字节编址(一存储单元8位); 故最大主存空间 = 224 * 8 = 16 M * 8 需要 16 M * 8 / 1 M * 1 = 16 * 8 = 128 个 DRAM芯
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