原创力文档1,IGBT定义IGBT一绝缘栅双极性晶体管(InsolatedGateBipolarTransistor)，是80年代初为解决MOSFET的高导通压降(难以兼顾高压和大电流特性)和GTR的工作频率低、驱动功耗大等不足而出现的双机理复合器
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