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光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究-光子学报
32 4 Vol. 32 No. 4
2003 4 ACTA PHOTONICA SINICA April 2003
CVD SiGe
戴显英 胡辉勇 张鹤鸣 孙建诚
( , 710071)
介绍了采用紫外光化学汽相淀积( UVCVD) 超 真空化学汽相淀积 ( UHVCVD) 和超低
3
压化学汽相淀积 ( ULPCVD) 技术研制的化学汽相淀积 ( CVD) 工艺系统, 简称U CVD 系统应用
- 7
该系统, 在450低温和10 Pa 超 真空环境下研制出了硅锗( SiGe) 材料和硅锗异质结双极晶体
管( SiGe HBT) 材料 实验表明, 该系统制备的SiGe HBT 材料性能良好
超 真空; 紫外光; 化学汽相淀积; SiGe HBT
TN304055 TN325 3 A
3
0 1 U CVD
[7]
SiGe 50 , , SiGe
3
, U CVD , 1, 2
1987 , IBM ( MBE) , 3
SiGe HBT[ 1] , SiGe HBT
SiGe
, SiGe
: ( MBE)
( UHVCVD) [2,3]
MBE UHVCVD 600 ~
-8
700 , 10 Pa,
,
( UVCVD) SiGe 3
[4,5] 图1 U CVD 系统
3
Fig. 1 Schematic diagram of U CVD system
SiGe , 700 , Ge
,
SiGe/ Si Ge
, SiGe
, SiGe/ Si ,
UVCVD SiGe ,
UHVCVD ,
UVCVD, 3
图2 新型U CVD 工艺系统外形
[6] 3
UHVCVDU LPCVD SiGe/ Si HBT Fig.2 Photo of U CVD system
, (
3 ,
U CVD) SiGe SiGe
HBT , UVCVD ,
, Si
, SiGe , Si
450 , SiGe UVCVD
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