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基于功率场效应管工作性能改善研究 摘要：功率MOS器件因具有所需驱动功率小、开 关速度快等优点，在各个领域中已得到了广泛的应用。文章 总结了提高功率场效应管(MOSFET)工作性能的措施。 关键词：功率场；效应管；MOSFET；工作性能 中图分类号：TM546文献标识码：A文章编号： 1009-2374 (2014) 01-0067-02 MOS场效应管也被称为MOSFET,即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (金属氧化物半 导体场效应管)的缩写。它是对小功率场效应晶体管的工艺 结构进行改进，在功率上有所突破的单极型半导体器件，属 于电压控制型，具有驱动功率小、控制线路简单、工作频率 高的特点。 1 MOS管的选型 MOS管的选型是指选择参数合适的MOS管，使驱动电路 能够高效率、稳定地工作，且寿命满足要求。简单地说，就 是要求MOS管的过渡过程要足够快，以便减少开关损耗；导 通电阻足够小，以便减少导通损耗；关断电阻足够大，以便 提高隔离作用，同时兼顾成本因素。 场效应管的参数： 场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限 参数，但一般使用时关注以下主要参数： IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅 场效应管中，栅极电压UGS=O时的漏源电流。 BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS -定时, 场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限 参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDSo PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指 场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用 时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。 极间电容：Cgs—栅极与源极间电容；Cgd—栅极 与漏极间电容；Cgb—栅极与衬底间电容；Csd—源极与漏极 间电容；Cab—源极与衬底间电容；Cdb—漏极与衬底间电容。 2 M0SFET管的驱动电路设计 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要 指绝缘栅型中的M0S型是用栅极电压来控制漏极电流，驱动 电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高， 热稳定性优于GTR,但其电流容量小，耐压低，一般只适用 于功率不超过10kW的电力电子装置。电力电子器件的驱动 电路是电力电子主电路与控制电路之间的接口，对整个装置 的性能有很大的影响，采用性能良好的驱动电路，可使电力 电子器件工作在较理想的状态，缩短开关时间，减小开关损 耗提高装置的运行效率、可靠性和安全性，对电压型驱动器 件驱动电路的要求：驱动脉冲要有足够快的上升沿和下降速 度，即脉冲的前后沿要陡，开关管开通瞬时，驱动电路应能 提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到 所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振 荡；为了防止误导通，在器件截止时提供负的栅-源或栅-射 极电压，关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路 供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快 速关断；关断期间，为了避免受到干扰产生误导通现象，驱 动电路最好能提供一定的负电压，另外要求驱动电路结构简 单可靠、损耗小，最好有隔离。 3功率场效应管的保护 防止过电压由于供给的电功率或系统的储能发生了激 烈的变化，使得系统能量来不及转换，或者系统中原来的集 聚的电磁能量不能及时消散而造成的损坏。对于操作过电压 的措施：由于操作引起的过电压可以采取减少过电压源，抑 制过电压能量上升的速率，增加消散途径，在回路中接入吸 收回路。对于浪涌过电压的保护，当电网中窜入的时间短、 峰值高、能量大的过电压来不及放电时，需要在变流装置的 进出线端并接压敏电阻等非线性元件防止过电流。由于电力 电子器件管芯体积小、热容量小，当管中流过大于额定值的 电流时，容易导致结层被烧毁。产生过电流的原因很多，有 变流装置损坏引起的电压不稳或者负载短路引起的故障，常 用的保护方法有快速熔断器保护和电子线路控制的过流保 护。 4功率场效应管的使用注意事项 场效应管在使用中要注意电压极性，电压、电流 数值不能超过最大允许值。 为了防止栅极击穿，要求一切测试仪器、电烙铁 都必须有外接底线。 绝缘栅场效型管的输入电阻很大，使得栅极的感 应电荷不易泄露，而且SiO2氧化层很薄，栅极只要有少量 电荷，即可产生高压强电场，极易造成MOS管的击穿，所以 要绝对防止栅极悬空。 场效应管的漏极和源极通常制成对称的，故可互 相使用。 5功率MOSFET的发展和研发 由于MOSFET元件的性能逐渐提升，特殊的工艺应用对 研究的专家会给出最好的指导，如果对器件有了深入理解， 将大大有利于理解和分析相应的问题。 除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位信号 处理的场合上，也有越来越多模拟信号处理