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ESD产生原理与预防 ESD的产生原因 几种常见的ESD模型 ESD的危害 ESD的防护 ESD防护器件的摆放 ESD与EOS的区别 ESD器件类型比较 主要内容 ESD：Electrostatic Discharge，即是静电放电。静电是一种客观存在的自然现象，是一种电能,它存在于物体表面,是正负电荷在局部失衡时产生的一种现象。静电现象是指电荷在产生与消失过程中所表现出的现象的总称。静电产生的方式有多种，如接触、摩擦、电器间感应等。静电的特点是长时间积聚、高电压、低电量、大电流和作用时间短（ ns级别）的特点。 为什么会产生静电呢？任何物质都是由原子组合而成，而原子的基本结构为质子、中子及电子。科学家们将质子定义为正电，中子不带电，电子带负电。在正常状况下，一个原子的质子数与电子数量相同，正负电平衡，所以对外表现出不带电的现象。但是电子环绕于原子核周围，一经外力即脱离轨道，离开原来的原子A而侵入其他的原子B，A原子因缺少电子数而带有正电现象，称为阳离子、B原子因增加电子数而呈带负电现象，称为阴离子。由于外界作用如摩擦或以各种能量（如动能、位能、热能、化学能等）的形式作用会使原子的正负电不平衡。 人体自身的动作或与其他物体的接触，分离，摩擦或感应等因素，可以产生几千伏甚至上万伏的静电。比如人在化纤地毯上行走大约会有35KV的静电，翻阅塑料说明书会有7KV静电产生。 ESD的产生原因 ESD的产生原因 人体放电模型(Human-Body Model, HBM) 机器放电模型(Machine Model, MM) 元件充电模型(Charged-Device Model, CDM) 电场感应模型(Field-Induced Model, FIM) 几种常见的ESD模型 人体放电模型(HBM)的ESD是指人体在地上走动摩擦或其他因素在人体上累积了静电，当此人去触碰IC时，人体上的静电便经由IC的pin脚进入IC内部，再经由IC内部放电到地。 放电过程会在几百ns的时间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流可能会把IC内的元件给烧毁。 几种常见的ESD模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM) 几种常见的ESD模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM) 几种常见的ESD模型人体放电模型(Human-Body Model, HBM) 工业标准 MIL-STD-883C method 3015.7 中HBM的等效线路图，其中人体的等效电容定义为100pF,人体的等效放电电阻定义为1.5kohm 机器放电模型的ESD是指机器本身也积累了静电，当此机器去触碰IC时，静电便经由IC的pin脚放电。机器放电的放电过程时间更短，在几十ns的时间内会有数安培的瞬间放电电流产生。 几种常见的ESD模型机器放电模型(Machine Model, MM) 工业标准 EIAJ-IC-121 method 20 中MM的等效电路图，其中机器的等效电容定义为200pF，机器的等效放电电阻为0ohm 几种常见的ESD模型机器放电模型(Machine Model, MM) 人体放电模型2kV和机器放电模型200V的放电电流比较图 几种常见的ESD模型机器放电模型(Machine Model, MM) 元件充电模型是指IC本身先因摩擦或其它因素而在IC内部累积了静电，但在静电累积的过程中IC并未损伤。在处理此IC的过程中，IC的pin脚触碰到了地，IC内部的静电便经由IC内部的pin脚流出来，而造成了放电现象。 此种模式的放电时间更短，仅约为几ns，而且放电现象更难以被真实的模拟。因为IC内部积累的静电会因IC内部的等效电容的不同而改变。 几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM) 几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM) 两种常见的CDM的放电情况 几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM) CDM测试标准 几种常见的ESD模型元件充电模型(Charged-Device Model, CDM) HBM 2kV,MM 200V,CDM 1kV三种模型的放电电流比较图 CDM更容易造成IC的损伤 FIM的静电放电是因电场感应而引起的。当IC因传输带或其它因素，经过一个电场时，其相对极性的电荷可能会从IC的pin脚排放掉，这样当IC通过电场以后，IC便累积了静电。此静电再以类似CDM放电模型的情况放电出来。 几种常见的ESD模型电场感应模