TiN表面电子结构及TaN各相稳定性的第一性原理计算.pdfVIP

TiN表面电子结构及TaN各相稳定性的第一原理计算 Functional 31。 但对TiN模拟计算分析还较少，如不同表面的结构、功函数、表面能等的计算数据比较 缺乏，难以与实验结果进行全面细致的比较。 本文使用基于第一原理的密度泛函理论计算了TiN材料的功函数，态密度，分波态 密度，表面能，并与体相材料的相应数据作了比较。由于在TiN的制备过程中，(111) 方向为择优生长方向【10】，因此我们着重分析了(111)晶面的表面电子结构： 1．2扩散阻挡层材料TaN 1．2．1Cu互联 电迁移现象严重，电阻率偏高等。人们虽然采用了很多方法进行改进，如采用Al_si合 金，Al—Si．Cu合金，但由于这些合金仍以铝为主，都没有从根本上解决问题。随着大 规模集成电路(VLSI)的迅速发展，半导体器件和电路的各部分按比例缩小，性能不断 提高，硅片面积和集成度不断增加，都要求金属连线宽度减少，连线层数增加20。随着 连线宽度的减少，连线层数增加，不仅