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2019-03-03 发布于江苏
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DMG1026UV-7;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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DMG1026UV-7;中文规格书,Datasheet资料

DMG1026UV DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID • Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(ON) T = 25°C • Low Input Capacitance A 1.8Ω @ VGS = 10V 440mA • Fast Switching Speed 60V 2.1Ω @ VGS = 4.5V 410mA • Low Input/Output Leakage • Totally Lead-Free Fully RoHS Compliant (Notes 1 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Description • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability This new generation MOSFET has been designed to minimize the on- state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching Mechanical Data performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • Case: SOT563 • Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound. UL Flammability Classification R