STS4DPF30L;中文规格书,Datasheet资料.pdfVIP

下载本文档

4
0
约1.34万字
约 7页
2019-03-03 发布于江苏
举报
版权申诉

STS4DPF30L;中文规格书,Datasheet资料.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

STS4DPF30L;中文规格书,Datasheet资料

STS4DPF30L DUAL P-CHANNEL 30V - 0.07 Ω - 4A SO-8 STripFET™ POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STS4DPF30L 30 V 0.08 Ω 4 A TYPICAL RDS(on) = 0.07 Ω STANDARD OUTLINE FOR EASY AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY LOW THRESHOLD DRIVE DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique Single Feature Size™ SO-8 strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on- resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remark- able manufacturing reproducibility. INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM APPLICATIONS BATTERY MANAGEMENT IN NOMADIC EQUIPMENT POWER MANAGEMENT IN CELLULAR PHONES DC-DC CONVERTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VDS Drain-source Voltage (VGS = 0) 30 V VDGR Drain-gate Voltage (RGS = 20 kΩ) 30 V VGS Gate- source Voltage ± 16 V Drain Current (continuous) at T