太阳能建筑一体化 第一节.pptxVIP

第1章 光伏发电系统简介;教学目的：了解光伏发电基本原理，掌握光伏发电及太阳能电池输出性能基本知识。 教学重难点：1.光伏发电基本原理 2.太阳能电池输出特性 ;一、光伏发电基本原理;1.光吸收与电的产生 光吸收：材料对入射光吸收 光子能量 其中光吸收系数α并非常数，对于光子能量接近导带底更容易吸收，而带隙Eg也会随着温度、材料、杂质及其他因素变化而变化。 电产生：任意一点产生的电子-空穴对数量 三种情况：（1）EpEg 不能吸收，透射 （2）Ep=Eg 有效的吸收，无能量损失 （3）EpEg 强烈的吸收并有热量产生;(a)金属 (b)半导体 (c)绝缘体 金属、半导体、绝缘体的能带; 金属的导带和价带重叠在一起，不存在禁带，在一切条件下具有良好的导电性。 半导体有一定的禁带宽度，价电子必须获得一定的能量（Eg）“激发”到导带才具有导电能力。激发的能量可以是热或光的作用。 常温下，每立方厘米的硅晶体，导带上约有l010个电子，每立方厘米的导体晶体的导带中约有1022个电子。 绝缘体禁带宽度远大于半导体，常温下激发到导带上的电子非常少，固其电导率很低 。;2.电能的产生 （1）载流子的输运 当太阳光入射太阳能电池时，会在价带留下空穴，在导带上会跃迁电子，形成电子-空穴对。电子和空穴都称为载流子。 载流子的运输方式有两种：漂移运动和扩散运动。 半导体中载流子在外加电场的作用下，按照一定方向的运动称为漂移运动。外界电场的存在使载流子作定向的漂移运动，并形成电流。 扩散运动是半导体在因外加因素使载流子浓度不均匀而引起的载流子从浓度高处向浓度低处的迁移运动。扩散运动和漂移运动不同，它不是由于电场力的作用产生的，而是由于载流子浓度差的引起的。;（2）p-n结 晶格完整且不含杂质的半导体称为本征半导体。 硅半导体掺杂少量的五价元素磷(P)— N型硅 ：自由电子数量多—多数载流子（多子）；空穴数量很少—少数载流子（少子）。电子型半导体或n型半导体。 掺杂少量的三价元素硼(B) —P型硅：空穴数量多—多数载流子（多子）；自由电子数量很少—少数载流子(少子)。空穴型半导体或p型半导体。;n型半导体和p型半导体紧密接触，在交界处n区中电子浓度高，要向p区扩散，在N区一侧就形成一个正电荷的区域；同样，p区中空穴浓度高，要向n区扩散，p区一侧就形成一个负电荷的区域。这个n区和p区交界面两侧的正、负电荷薄层区域称为“空间电荷区”，即p-n结—内建电场E—电势差UD—电势能 电势能=电荷×电势=(?q)?(?UD)=qUD qUD通常称作势垒高度。 内建电场一方面阻止“多子”的扩散运动，另一方面增强“少子”漂移运动，最终达到平衡状态。;(a) 形成p-n结前载流子的扩散过程 (b) 空间电荷区和内建电场 p-n结漂移运动;当p-n结加上正向偏压，外加电场的方向与内建电场的方向相反，打破了扩散运动和漂移运动的相对平衡，形成通过p-n结的电流（称为正向电流），较大； 当p-n结加上反向偏压 ，构成p-n结的反向电流，很小。;（3）光伏效应 当太阳电池受到光照时，光在n区、空间电荷区和p区被吸收，分别产生电子-空穴对。由于入射光强度从表面到太阳电池体内成指数衰减，在各处产生光生载流子的数量有差别，沿光强衰减方向将形成光生载流子的浓度梯度，从而产生载流子的扩散运动。 n区中产生的光生载流子到达p-n结区n侧边界时，由于内建电场的方向是从n区指向p区，静电力立即将光生空穴拉到p区，光生电子阻留在n区。 p区中到达p-n结区p侧边界的光生电子立即被内建电场拉向n区，空穴被阻留在p区。 空间电荷区中产生的光生电子-空穴对则自然被内建电场分别拉向n区和p区。 p-n结及两边产生的光生载流子就被内建电场所分离，在p区聚集光生空穴，在n区聚集光生电子，使p区带正电，n区带负电，在p-n结两边产生光生电动势。上述过程通常称作光生伏特效应或光伏效应。光生电动势的电场方向和平衡p-n结内建电场的方向相反。当太阳能电池的两端接上负载，这些分离的电荷就形成电流。 ;当太阳能电池的两端接上负载，光伏电动势就形成电流。;3.常见的太阳能电池及生产工艺