54-半导体电导率和霍尔效应.ppt

3、MIS结构的电容－电压C-V特性 MIS结构是组成MOSFET等表面器件的基本部分； 电容－电压特性是用 于研究半导体表面和 界面的重要手段。 一、理想MIS结构的电容－电压特性 在MIS结构上加一偏压，同时测量小信号电容随外加偏 压变化的电容－电压特性，即C-V特性。 在MIS结构的金属和半导体间加以某一电压VG后，电压VG的一部分Vo降在绝缘层上，而另一部分降在半导体表面层中，形成表面势Vs，即 因是理想MIS结构，绝缘层内没有任何电荷，绝缘层中电场是均匀的，以E表示其电场强度，显然， Cs C0 如何定量描述？ 理想MIS结构的C-V特性 1、多子积累时：偏压Vg为负，半导体表面处于堆积状态（以P型半导体） （1）当/Vs/较大时，有C Co 半导体从内部到表面可视为导通状态； C/Co （2）当/Vs/较小时，有C/Co1。 2、平带状态 Vg=0 Vg=0,对于理想MIS表面势Vs也为0. 3、耗尽状态 VG＞0 4、强反型后，即VS＞2VB 从物理图像上理解： 强反型层出现后，大量的电子聚积在半导体的表面，绝缘层两边堆积了电荷，并且在低频信号时，少子的产生和复合跟得上低频小信号得变化。如同只有绝缘层电容一样。 高频时，反型层中的电子的产生和复合将跟不上高频信号的变化，即反型层中的电子数量不随小信号电压而变化，所以对电容没有贡献。 二、实际的MIS结构的C-V特性 在实际的MIS结构中，存在一些因素影响着MIS的C-V 特性，如：金属和半导体之间的功函数的差、绝缘层 中的电荷等。 例：以Al/SiO2/P-type-Si 的MOS结构为例： P型硅的功函数一般较铝大，当WmWs时，将导致C-V特性向负栅压方向移动。 使能带恢复平直的栅电压 CFB VFB 平带电压VFB 实验上，可计算出 理想状态时的平带 电容值，然后在CFB 引与电压轴平行的 直线，和实际曲线 相交点在电压轴上 的坐标，即VFB 实际 绝缘层电荷对MIS结构C-V特性的影响： 一般有： 由于这些电荷的存在，将在金属和半导体表面感 应出相反符号的电荷，在半导体的空间电荷层内 产生电场使得能带发生弯曲。也即没有偏压，也 可使得半导体表面层离开平带状态。 假设在SiO2中距离金属/SiO2的界面x处有一层正电荷 金属 SiO2 半导体 do 假定半导体和金属的功函数相同，即Wm=Ws 金属 半导体 Ec 半导体表面 能带下弯 恢复平带的方法： 半导体 绝缘层 金属 do 在金属一边加上负电压， 并且逐渐增大，使得半 导体表面层的负电荷随之 减小，直至完全消失。这 时在半导体表面层内，在 氧化物中存在的薄的正电 荷产生的电场完全被金属 表面增加的负电荷的电场 屏蔽了，半导体表面的能 带又平了，即恢复到 平带状态。 加偏压VG0 C～V曲线为： 八、半导体异质结： 同质结 —— 由同种半导体材料构成N区或P区，形成的PN结 异质结 —— 两种带隙宽度不同的半导体材料生长在同一块 单晶上形成的结 同型异质结 —— 结的两边导电类型相同：NN，PP 异型异质结 —— 结的两边导电类型不相同：NP，PN 两种材料未构成异质PN结之前的能级图 两种半导体材料构成异质PN结之后的能级图 异质PN结界面处导带底和价带顶不连续 —— 差值 —— 两种材料的费密能级不同，电子从高费密能级材料流向低费密能级材料，形成PN结势垒 —— 形成异质结时，能带在界面处间断，在势垒的一侧出现尖峰，另一侧出现峡谷 异质结的“注入比” P区的电子电流密度 N区的空穴电流密度 PN结注入比 热平衡条件 异型同质PN结注入比 ND和NA —— N区和P区掺杂浓度 —— 如果N型区的带隙宽度大于P型区带隙宽度，即使两边 掺杂浓度差不多时，可以获得很高的注入比 —— 异质结的注入比决定晶体管的电流放大系数、激光器 的注入效率和阈值电流 异型异质PN结 异质PN结注入比 光生伏特效应 —— 太阳能电池 —— 利用扩散掺杂，在P型半导体的表面形成一个薄的N型层 —— 光照射下，在PN结及附近产生大量的电子和空穴对 —— PN结的自建电场 －强电场区域 —— PN结附近一个扩散长度内，电子－空穴对还没有复合 就有可能通过扩散达到PN结的强电场区域 —— 强电场将电子扫向N区 —— 强电场将空穴扫向P区 —— N区带负电 —— P区带正电 —— 上下电极 产生电压 异质结的“窗口效应” —— 光子能量小于宽带隙的N型层__ ，可以透 过N型层，在带隙较窄的P