深亚微米集成电路Cu2f低k互连结构温度特性分析.pdfVIP

2 深亚微米集成电路Cu／低k互连结构温度特性分析 靠性日益成为人们关注的焦点。许多电子设备是由各种集成电路芯片连接而成的， 而小小的一块芯片是由成千上万、甚至是上百万个基本器件构成，器件之间、芯 片之间均需要导线相连，据统计，0．13pro工艺的集成电路布线层有6～7层，总互 连线长度可以达到4拥【21，因此，互连线的问题越来越重要，互连线的可靠性对整 个器件可靠性的影响越发明显。 近年来，采用一些低介电常数介质有效的降低了互连线寄生电容，从而降低 了互连延时、动态功耗以及串扰效应等【31，但这些介质的导热系数低，引起互连线 温度的持续升高。在高性能IC中，在lOOnm工艺尺寸下，峰值温度可达160℃， 并且随着工艺进步还会不断增加【41。图1．1为不同特征尺寸下的芯片功耗密度和芯 片温度。由图1．1可以看出，随着特征尺寸的减小，虽然电源电压下降，但由于时 钟频率的增加，部分功耗分量(如漏功耗和动态功耗等)增加，使得总功耗增加，因 此，虽然芯片面积增大，但是芯片的平均温度和平均功耗居高不下。相对于环境 温度来说，芯片温度的升高会明显增加互连线电阻，进而增加互连延时。研究表 明，这种温度的增加不仅会改变关键路径的传输延时，而且在极端情况下会引起 时序紊乱【51。同时，在深亚微米集成电路中，互连线温度比衬底温度可