安全检测技术 第3章 传感器.pptVIP

第3章 安全检测常用传感器 3.1 传感器的作用及分类 3.2 结构性传感器 3.3 物性传感器 3.4 其他类型传感器 3.5 传感器的选用原则 3.1 传感器的作用及分类 1 电阻式传感器 2 电位器式传感器 3 电阻应变式传感器 4 电容式传感器 一、基本工作原理 二、变极距型电容传感器 二、变极距型电容传感器 二、变极距型电容传感器 三、差动变极距型电容传感器 三、差动变极距型电容传感器 三、差动变极距型电容传感器 5 电感式传感器 一、工作原理 一、工作原理 6 磁电式传感器 1 压电式传感器 压电效应： 某些电介质，在沿一定方向上受到外力的作用而变形时，其内部会产生极化现象，同时在它的两个表面上生成符号相反的电荷，当外力去掉后，它又会恢复到不带电状态，这种现象称为压电效应。 具有这种压电效应的物体称为压电材料或压电元件。常见的压电材料有石英，钛酸钡等。 压电效应是可逆的。 逆压电效应： 在电介质的极化方向上施加电场，这些电介质也会发生变形，电场去掉后，电介质的变形随之消失，这种现象称为逆压电效应，或叫做电致伸缩效应。 一、石英晶体的压电效应 石英晶体是最常用的压电晶体之一。 其化学成分为SiO2，是单晶体结构。它理想的几何形状为正六面体晶柱，如图所示。 经过正六面体（两相对）棱线且垂直于光轴的x轴 称为电轴；与x轴和z轴同时垂直的y轴称为机械轴，如 图所示。 通常把沿电轴方向的力作用下产生电荷的压电效 应称为“纵向压电效应”; 把沿机械轴方向的力作用下产生电荷的压电效应， 称为“横向压电效应”。作用力为剪切力时称为“切向压 电效应”。 石英晶体具有压电效应，是由其内部结构决定的。组成 石英晶体的硅离子Si4+和氧离子O2-在Z平面投影，如图(a)。 为讨论方便，将这些硅、氧离子等效为图(b)中正六边形排 列，图中“＋”代表Si4+，“－”代表2O2-。 石英晶体 二、等效电路 当压电传感器中的压电晶体承受被测机械应力的作用时，在它的两个极面上出现极性相反但电量相等的电荷。可把压电传感器看成一个静电发生器，如图(a)。也可把它视为两极板上聚集异性电荷，中间为绝缘体的电容器，如图(b)。 其电容量为 当两极板聚集异性电荷时，则两极板呈现一定的电压，其大小为 因此，压电传感器可 等效为电压源Ua和一个 容器Ca的串联电路，如 图(a)；也可等效为一个 电荷源q和一个电容器Ca 的并联电路，如图(b)。 2 半导体敏感元件 酒精测试仪 一、光的特性 3 光电传感器 一、光的特性 二、光电效应 光电倍增管 五、光敏电阻 五、光敏电阻 五、光敏电阻 五、光敏电阻 五、光敏电阻 六、光敏二极管和光敏三极管 六、光敏二极管和光敏三极管 六、光敏二极管和光敏三极管 六、光敏二极管和光敏三极管 4 霍尔传感器 三、集成霍尔传感器 霍尔式位移传感器 霍尔式转速传感器 霍尔式计数装置 传感器的选用指标 3.3 物性传感器 （d）温度特性 光敏管的温度特性是指光敏管的暗电流及光电流与温度的关系。 从光敏晶体管的温度特性曲线可看出：温度变化对光电流影响很小，而对暗电流影响很大。 因此，光敏晶体管作为测量元件时，在电子线路中应该对暗电流进行温度补偿，否则将会导致输出误差。 （2）基本特性 六、光敏二极管和光敏三极管 3.3 物性传感器 （e）光照特性 光敏三极管的光照特性近似线性关系。但光照足够大时会出现饱和现象。 故光敏三极管既可做线性转换元件， 也可做开关元件。 （2）基本特性 200 400 600 800 1000 4 3 2 1 0 六、光敏二极管和光敏三极管 3.3 物性传感器 霍尔：1879年 设霍尔元件为N型半导体，当通电流I时 FL = qvB 一、霍尔效应 UH b l d I F F v B 当电场力与洛仑兹力相等时，达到动态平衡，有 qEH=qvB 霍尔电场的强度为 EH=vB 霍尔电压UH可表示为 UH = EH b = vBb 流过霍尔元件的电流为 I=dQ/dt=bdvnq；v=I/nqbd UH=BI/nqd；若取RH = 1/nq则有 3.3 物性传感器 RH被定义为霍尔元件的霍尔系数。 霍尔系数由半导体材料性质决定，反映材料霍尔效应的强弱。 UH b l d I F F v B 霍尔电压为 霍尔元件的灵敏度： 一个霍尔元件在