屏蔽槽SOI高压器件新结构与耐压机理-精品文档.pptVIP

赵婷 2019年3月29日 文章结构 题目 摘要 引言 器件结构和机理 结果与讨论 结论 文献基本信息 期刊来源：半导体学报 作者：罗小蓉　李肇基　张波　郭宇锋　唐新伟 单位：电子科技大学 基金项目：国家自然科学基金 见刊时间：2019-11 摘要 背景 问题 提出具有屏蔽槽的SOI 高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型. 该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷, 此电荷使埋层介质的纵向电场增加, 同时使顶层硅的纵向电场降低, 并对表面电场进行调制, 因此屏蔽了高电场对顶层硅的影响. 方法 借助二维器件仿真研究器件耐压和电场分布与结构参数的关系. 结论 结果表明, 该结构使埋氧层的电场从传统的3ESi 升高到近600V /μm , 突破了传统SOI 器件埋氧层的耐压值, 大大提高了SOI 器件 的击穿电压. 引言 SOI器件的高速、低功耗、高集成度等优越性能使其在VLSI 领域得到广泛关注, 但其较低的纵向耐压限制了其在高压功率集成电路中的应用. 为此, 国内外众多学者提出了一些新结构. 在Si/SiO2界面引入电荷, 利用SiO2高临界击穿电场的特点, 通过提高埋氧层电场而提高器件纵向耐压, 是一种非常有效的方法. 如在Si/SiO2的界面插入N+薄层, 但其漏电流较大, 且需精确控制N+层的密度, 否则将在表面源端或漏端提前击穿;注入阶梯埋氧层固定界面电荷(step fixed interface charge,SFIC)在一定程度上缓解了上述两个问题, 但其工艺相对略微复杂. 本文提出屏蔽槽(shielding trench,ST)SOI高压器件新结构, 屏蔽槽束缚Si /SiO2 界面反型层的电荷, 且该电荷是从源到漏逐渐递增的、跟随漏极电压而变化的自适应界面电荷,自适应电荷对纵向电场调制的同时还能改善横向电场分布,故可大大提高器件耐压.仿真结果表明,采用ST结构,对Si层厚度4μm , 埋氧层厚度为1μm的SOI LDMOS,耐压可达635V,而耐压超过600V 的传统SOI LDMOS,需要4μm以上的埋氧层和约20μm厚的Si层.可见,该结构不仅能够提高耐压, 同时可以缩小SOI器件的纵向尺寸,最大限度地克服自热效应和浮体效应, 因此, 本文所提出的结构对SOI功率电子器件具有重要意义. 引言 器件结构和机理 具有屏蔽槽结构的SOI LDMOS 器件结构如图1(a)所示. 图中ts ,tox 分别代表Si层和埋氧层厚度.当漏极加较大正电压Vd , 栅、源极和衬底接地时,Si/SiO2界面Si侧形成反型层. 器件结构和机理 如果槽高H足够大,就能阻止漂移区横向电场对反型层电荷的抽取,从而在槽底部束缚高浓度的空穴,如图1(b)所示.设槽内空穴的面密度为Qs,则在Si/SiO2界面,电位移连续性为εox Eox =ESiεSi +Qs ,其中ESi,Eox和εSi,εox分别是界面处Si和SiO2的电场和介电常数.随着Qs的增加, Eox将可从传统结构(Qs =0)的3ESi提高至其临界击穿电场(本文选600V/μm). 器件结构和机理 采用RESURF技术和结终端技术优化横向电场, 可使器件击穿由纵向决定. 在纵向电场最强的漏端下采用一维近似, SiO2 击穿前, 器件的纵向电压可写成: 式中K=εSi /εox ;t=0.5ts +Ktox , 为SOI器件的特征厚度. (1)式右边第一项是传统SOI LDMOS 的纵向压降. 可见, 高浓度的界面电荷能大大提高纵向耐压. Si /SiO2 界面纵向电场为 界面电荷产生如图1(b)所示的附加纵向电场E′,E″, 该电场使埋氧层内纵向电场增强, 同时削弱Si层的电场, 屏蔽高电场对Si层的影响, 因而提高了器件的纵向击穿电压. 器件结构和机理 本文中局域界面电荷密度为 pn0是漂移区平衡空穴浓度;Vs(x)为漂移区上表面电势;?s(x)为漂移区下表面电势,其从源到漏区逐渐增加.Qs 受Vd ,?s ,ts ,tox 以及槽形结构参数的调制. 调节槽宽W和槽间距D,可使Si/SiO2界面实现从源到漏区逐渐递增的准连续分布的界面电荷, 该电荷对表面电场的调制作用使表面电场更均匀. 槽内大部分区域电荷均匀分布, 边角处电场集中使其电荷浓度稍高;同时,电场的横向分量使空穴在槽内靠近源极的一边浓度略高.平衡时, 各屏蔽槽内横向电场为零, 槽内等电势. 考虑电荷分布的影响, 引进形状因子k, k与槽的几何形状、ts 及tox 有关,0k≤1,则有效电荷Qeff=kQs . 结果与讨论 图2为传统结构和ST结构在击穿电压下的纵向电场和电势分布. 该图显示在Si/SiO2界,ESi从传统结构的32V/μm 降低为ST结构的12V/μm.更重要的是,