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- 2019-03-03 发布于北京
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1988年,美国物理学家霍尔丹提出可能存在不需要外磁场的量子霍尔效应,但是多年来一直未能找到能实现这一特殊量子效应的材料体系。2010年,中科院物理所方忠、戴希带领的团队与张首晟教授等合作,从材料设计上取得了突破,他们的计算表明Cr或Fe磁性离子掺杂的Bi2Te3、Bi2Se3、Sb2Te3族拓扑绝缘体中存在着特殊的铁磁交换机制,是实现量子反常霍尔效应的最佳体系。该结果引起了国际上的广泛兴趣,许多世界顶级实验室都争相投入到这场竞争中,沿着这个思路寻找量子反常霍尔效应。 薛其坤团队经过近4年的研究,生长测量了1000多个样品。 2013年,他们利用分子束外延方法,生长出了高质量的Cr掺杂(Bi,Sb)2Te3拓扑绝缘体磁性薄膜,并在极低温输运测量装置上首次成功观测到了量子反常霍尔效应。Science杂志于2013年3月14日在线发表这一研究成果。 第六节 磁场对载流导线的作用 一. 安培力 1. 安培力公式 一段载流导线dl 中,带电粒子数 dN = n S dl dl在磁场中所受合力为: 洛仑兹力 dl S n F I = n q v S —导线中的电流,线元dl //Id F 的方向由右手定则确定 一段载流导线L在磁场中受到的安培力为: ——安培力公式 对于长为L 的载流直导线,若电流I与均匀磁场 大小:
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