二氧化钛光催的机理及应用概要.pptVIP

;的光催化原理 影响光催化效率的因素 光催化剂的局限性及掺杂改性 光催化剂的应用 总结; 半导体的能带结构通常是由一个充满电子的低能价带(valent band, VB)和一个空的高能导带(conduction band, CB)构成，价带和导带之间的区域称为禁带，区域的大小称为禁带宽度。半导体的禁带宽度一般为0.2～3.0 eV，是一个不连续区域。半导体的光催化特性就是由它的特殊能带结构所决定的。当用能量等于或大于半导体带隙能的光波辐射半导体光催化剂时，处于价带上的电子(e-)就会被激发到导带上并在电场作用下迁移到粒子表面，于是在价带上形成了空穴(h+)，从而产生了具有高活性的空穴/电子对。空穴可以夺取半导体表面被吸附物质或溶剂中的电子，使原本不吸光的物质被激活并被氧化，电子受体通过接受表面的电子而被还原。;TiO2的光催化原理;如果把分散在溶液中的每一颗TiO2粒子近似看成是小型短路的光电化学电池，则光电效应应产生的光生电子和空穴在电场的作用下分别迁移到TiO2表面不同的位置。TiO2表面的光生电子e-易被水中溶解氧等氧化性物质所捕获，而空穴h+则可氧化吸附于TiO2表面的有机物或先把吸附在TiO2表面的OH-和H2O分子氧化成 ·OH自由基，·OH自由基的氧化能力是水体中存在的氧化剂中最强的，能氧化水中绝大部分的有机物及无机污染物，将其矿化为无机小分子、CO2和H2O等无害物质。;TiO2 + hv → h+ +e- （ h+ 是带正电的空穴） h+ +e- → 热能 h+ + OH- →·OH h+ + H2O →·OH + H+ e- +O2 → O2- O2 + H+ e- → HO2· ·OH + H + dye →···→ CO2 + H2O;影响二氧化钛光催化氧化的因素;;;;;;BACK;;;;;;;;;;;The End