电磁兼容技术讲座-雷击浪涌防护设计技术(非常好).pptVIP

雷击浪涌防护设计技术 参考文献 张小青，《建筑物内电子设备的防雷保护》，电子工业出版社 GB50057， 建筑物内防雷设计规范 YD5098，通信局（站）防雷与接地工程设计规范 YD/T993，电信终端设备防雷技术要求及试验方法 YD/T944，通信电源设备的防雷技术要求和测试方法 GB17626.5，浪涌冲击抗扰性试验 雷击浪涌防护设计技术 谢 谢 M = 0.2*a*ln[(a+s)/s] uH GB50057建筑物防雷设计规范： 第一类建筑物：电火花引起爆炸且后果很严重的地方。如军火库等 第二类建筑物：国家级博物馆、档案馆、文物，国家级计算中心，国际通讯枢纽，车站等 第三类建筑物：省级博物馆、档案馆、文物，雷击次数达到一定标准的重要建筑物。 第一类：滚球半径30米。第二类：滚球半径45米。第三类：滚球半径60米。 高能量避雷器(lightning current arrester)：for class B--- 10/350us,75kA 过压保护器(surge arrester)：for class C---8/20us,15kA 粗保护(surge arrester)：class C 精细保护(surge arrester)：class D 如只用一个压敏电阻，则去掉M1和M2，保留M3。 如用二个压敏电阻，则去掉M1，保留M2和M3。 由于压敏电阻存在较大的极间电容(纳法级)，在用于交流电源线与保护地之间时，会有较大的漏电流，有可能不能满足安全要求。为此需要利用压敏电阻和放电管串联的方式。而放电管的极间电容是很小的，一般为几个皮法。 但L—PE，N—PE之间的反应时间会增大。 M1、M2、M3：参考电压可选510V~600V，通流量30kA(8/20us) M4、M5、M6：参考电压可选430V，通流量10kA(8/20us) L1、L2：几十uH C1：几十uF. C2、C3：满足安全标准要求前提下取最大。额定电压：450V~550V 分级保护 退藕器件 如:电阻,电感,滤波器等 t u t u 粗保护 如:放电管 精细保护 如:齐纳二极管 雷击浪涌防护设计技术 雷击浪涌防护器件 雷击浪涌防护设计技术 气体放电管 半导体放电管 压敏电阻 TVS 防雷模块（SPD） 气体放电管 雷击浪涌防护设计技术 伏安特性 10mA 1mA 100mA 1A 10A 100A 1kA 100 200 电 压 (V) 电 流 A B C D E F BCD：辉光放电区 A：直流放电点 E：电弧放电点 F：电弧熄灭点 气体放电管 雷击浪涌防护设计技术 应用中存在的问题 时延 续流 当暂态电压过去后，在被保护电路的电源或信号电压作用下，原处于导通状态的放电管不灭弧，仍保持导通状态 u t ufdc ufr Δ u Δτ ufr：实际放电电压 气体放电管 雷击浪涌防护设计技术 优点 缺点 极间绝缘电阻大 极间电容小 泄放暂态过电流能力强 时延 续流 老化 半导体放电管 雷击浪涌防护设计技术 伏安特性 IBO IH IT IPP IDM VBO VDM V I VBR VT IBO IH IT IPP IDM VBO VDM V I VBR VT 单向半导体放电管 双向半导体放电管 半导体放电管 雷击浪涌防护设计技术 优点 缺点 通态电压低 动作响应快 无老化 通流容量较小 有续流 转折电压较高 压敏电阻 雷击浪涌防护设计技术 伏安特性 10-8 10-6 10-4 10-2 100 102 电流/A 104 10 20 50 100 200 500 1000 电压( V ) 泄漏区 箝位工作区 过载区 压敏电阻 雷击浪涌防护设计技术 优点 缺点 通流容量大 动作响应快 无续流 极间电容大 老化 瞬态电压抑制器 雷击浪涌防护设计技术 TVS—Transient Voltage Suppressor 伏安特性 + - + - 正向 反向 正向电压 反向电压 VRM Vbr Vc IPP IRM 正向电流 反向电流 TVS 雷击浪涌防护设计技术 优点 缺点 箝位电压低 动作响应快 无续流 无老化 通流容量较小 几种保护器件的比较 雷击浪涌防护设计技术 气体放电管 压敏电阻 TVS 泄漏电流 无 小 小 续流 有 无 无 极间电容 小 大 中 响应时间 慢(us) 较快(ns) 快(ps) 通流容量 大(1kA~100kA) 大(0.11kA~100kA) 较小(0.1kA~1kA) 老化现象 有 有 无 箝位电压 放电电压高 中等 低 防雷电路设计 雷击浪涌防护设计技术