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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D302
BC817DS
NPN general purpose double
transistor
Product data sheet 2002 Nov 22
Supersedes data of 2002 Aug 09
/
NXP Semiconductors Product data sheet
NPN general purpose double transistor BC817DS
FEATURES QUICK REFERENCE DATA
• High current (500 mA) SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
• 600 mW total power dissipation VCEO collector-emitter voltage 45 V
• Replaces two SOT23 packaged transistors on same IC collector current (DC) 500 mA
PCB area.
ICM peak collector current 1 A
APPLICATIONS PINNING
• General purpose switching and amplification PIN DESCRIPTION
• Push-pull amplifiers
1, 4 emitter TR1; TR2
• Multi-phase stepper motor drivers.
2, 5 base TR1; TR2
6, 3 collector TR1; TR2
DESCRIPTION
NPN transistor pair in a SOT457 (SC-74) plastic package.
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