光电综合设计报告.docVIP

1、半导体中载流子浓度的计算分析 设计任务： 若锗中含有一定数量的杂质元素Sb，试根据要求分析杂质浓度与电离度以及电离温度之间的关系： （1）当Sb浓度分别为和时，计算杂质99％，90％和50％电离时的温度各为多少？ （2）根据一定杂质类型和杂质浓度，画出电离度和温度的关系图线，并确定半导体处于强电离区（电离度90％）的温度范围。 设计要求： （1）具有友好输入输出界面； （2）调整输入数据，得出相应结果，并进行分析。 参考：《固体电子导论》载流子浓度 计算： global a; global b; c1=solve(116/T=1.5*log(T)-2.3); c2=solve(116/T=1.5*log(T)-9.2); c3=solve(116/T=1.5*log(T)); c4=solve(116/T=1.5*log(T)-6.9); c5=solve(116/T=1.5*log(T)+3); c6=solve(116/T=1.5*log(T)-3.9); switch a case 1 if b==1 set(handles.text1,String,double(c1)); elseif b==2; set(handles.text1,String,double(c3)); elseif b==3; set(handles.text1,String,double(c5)); end; case 2 if b==1 set(handles.text1,String,double(c2)); elseif b==2; set(handles.text1,String,double(c4)); elseif b==3; set(handles.text1,String,double(c6)); end; end 画图： global a b; c3=solve(116/T=1.5*log(T)); c4=solve(116/T=1.5*log(T)-6.9); if a==1 T=17.58:0.1:40; D=1-exp(116./T)*10^(14)/10^(15)./T.^(1.5); plot(T,D); xlabel(‘开氏温度‘); ylabel(电离度); title(浓度为10^ 14(cm*3)时电离度和温度的曲线); set(handles.text3,String,double(c3)); else a==2 T=80:1:550; D=1-exp(116./T)*10^(17)/10^(15)./T.^(1.5); plot(T,D); xlabel(开氏温度); ylabel(电离度); title(浓度为10^ 17(cm*3) 时电离度和温度的曲线); set(handles.text3,String,double(c4)); end 2、光学系统中的物像关系 设计任务： （1）已知 ，确定上图所示光学系统的主面、焦点位置，以及焦距； （2）对任意输入的物距、物高，计算出像距、像高。 设计要求： （1）具有友好输入输出界面； （2）可根据输入的不同参数值，查看结果。 参考：《应用光学》光学系统中成像原理 F11=-1/((n1-1)*(1/R1-1/R2)+(n1-1).^2*d1/(n1*R1*R2)); F12=-F11;%第一透镜的两焦距 F21=-1/((n2-1)*(1/R3-1/R4)+(n2-1).^2*d3/(n2*R3*R4)); F22=-F21;%第二透镜的两焦距 H11=-R1*d1/(n1*(R2-R1)+(n1-1)*d1); H12=-R2*d1/(n1*(R2-R1)+(n1-1)*d1);%第一透镜两主平面 H21=-R3*d3/(n2*(R4-R3)+(n2-1)*d3); H22=-R4*d3/(n2*(R4-R3)+(n2-1)*d3);%第二透镜两主平面 d=d2-H12+H21;%两镜的主平面距离 A=d-F12+F21;%f12到f21的距离 XF1=F11*F12/A; XF2=-F21*F22/A; F1=F11*F21/A; F2=-F12*F22/A;%光学系统的两个焦距 H1=XF1+F11+H11-F1; H2=XF2+F22