利用高分辩率X射线测量在GaAs衬底上生长的-中国有色金属标准质量.docVIP

GB/T ××××—×××× GB/T □□□□—200□ PAGE 2 PAGE 10 发布中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会200□-□□实施200□- 发布 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 200□-□□实施 200□-□□发布 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法 Test Method for Measuring the Al Fraction in AlGaAs on GaAs Substrates by High Resolution X-ray Diffraction （讨论稿） GB/T □□□□—200□ 中华人民共和国国家标准 ICS 29.045 H 21 前 言 该标准等同采用SMEI M63－0306 Test Method for Measuring the Al Fraction in AsGaAs on GaAs Substrates by High Resolution X-ray Diffraction标准。 本标准由全国半导体材料与设备标准委员会提出。 本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所负责归口。 本标准由信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所负责起草制定。