新型电力电子器件—碳化硅..pptx

新型电力电子器件 碳化硅器件; 一个理想的功率半导体器件，应当具有下列理想的静态和动态特性：在阻断状态，能承受高电压；在导通状态，能导通高的电流密度并具有低的导通压降；在开关状态和转换时，具有短的开、关时间，能承受高的di/dt和du/dt，具有低的开关损耗；运行时具有全控功能和良好的温度特性。自20世纪50年代硅晶闸管问世以后，功率半导体器件的研究工作者为达到上述理想目标已取得了世人瞩目的成就。早期的大功率变流器，如牵引变流器，几乎都是基于晶闸管的。到了80年代中期，4.5kV的可关断晶闸管(GTO)得到广泛应用，并成为在接下来的10年内大功率变流器的首选器件，一直到绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的阻断电压达到3.3kV之后，这个局面才得到改变。与此同时，对GTO技术的进一步改进导致了集成门极换流晶闸管(IGCT)的问世，它显示出比传统GTO更加显著的优点。目前的GTO开关频率大概为500Hz，由于开关性能的提高，IGCT和大功率IGBT的开通和关断损耗都相对较低，因此可以工作在1~3kHz的开关频率下。至2005年，以晶闸管为代表的半控型器件已达到70MW/9000V的水平，全控器件也发展到了非常高的水平。当前，硅基电力电子器件的水平基本上稳定在10 -10 W·Hz左右，已逼近了由于寄生二极管制约而能达到的硅材料极限。;; 由于传统的硅基电力电子