第七章 电荷转移器件.pptVIP

Thank you Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo Company Logo 第7章 电荷转移器件 刘乔 阮雄飞 * 深耗尽状态和表面势阱 Contents 1 MOS电容的瞬态特性 2 信号电荷的输运传输效率 3 4 电荷转移 * 7.3 MOS电容的瞬态特性 在电荷耦合器件紧密排布的MOS电容器上施加电压脉冲就产生势阱。少数载流子的存贮和输送就是在这些势阱之间进行的。给下图所示的MOS电容器加上正的栅偏压，在栅的下边形成耗尽层。在形成反型层之前，半导体表面处于深耗尽状态。 * 7.3 MOS电容的瞬态特性 在深耗尽状态，耗尽层内将产生电子-空穴对。在耗尽层电场作用下，电子向半导体表面漂移，空穴向半导体体内漂移。进入体内的空穴中和电离受主，使耗尽层变窄。 电子向半导体表面漂移使表面电子浓度不断增加引起电子从表面向体内扩散，同时抵制电子向半导体表面的漂移。结果是漂移不断减弱，扩散不断加强，最终达到漂移流和扩散流相等的动态平衡--热平衡。达到热平衡所需要的时间即为热弛豫时间。 * 7.