半导体料材实用技术动向及挑战.docVIP

个人收集整理 仅供参考学习 个人收集整理 仅供参考学习 PAGE / NUMPAGES 个人收集整理 仅供参考学习 出版品代號:::CT 期數::: 文章代碼:::CS2 文章標題:::半導體料材技術動向及挑戰 文章副標::: 出版品單元:::CTCS 文章來源::: 作者:::陸向陽 譯者::: 引言:::半導體製造技術能否持續突破,材料一直扮演著重要地角色,從過去最早初地鍺（Germanium；Ge）,到之後普遍運用地矽（Silicon；Si）,而近年來又有更多地新樣與衍生,以下本文將針對此方面地新用材、新趨勢發展,以及現有地技術難度等,進行一番討論.b5E2RGbCAP 附圖定義:::圖一(p1.gif),圖二(p2.gif),圖三(p3.gif),圖四(p4.gif),圖五(p5.gif),圖六(p6.gif)p1EanqFDPw 附表定義::: 公式圖檔定義::: 文章後之資料::: 屬性(人物)::: 屬性(產業類別):::REN 屬性(關鍵字):::SOI,RC-Delay,High-k 屬性(組織)::: 屬性(產品類別):::EDM 屬性(網站單元):::ZESC 內容::: @標題:半導體料材技術動向及挑戰 @作者:作者　陸向陽 @引文: @大標:銅導線材 @內文:在半導體技術發展初期地50年代,主要是以鍺元素為材料,不過鍺元素地耐高溫性不足、抗輻射能力差,以致在60年代後逐漸由矽元素取代其地位,矽在抗熱、抗輻射等表現上都優於鍺,適合用來製做大功率地積體電路.DXDiTa9E3d 到了近年來,隨著製程技術地不斷細密化,到了0.25um以下,積體電路在線路上地電阻電容延遲（RC-Delay）效應已增大到成為問題,使線路信號難以更快速傳遞,亦即電晶體導通、關閉地速率難以更快,並且線路間地串音雜訊干擾（Cross Talk Noise）也增加,這些問題約在時脈近1GHz時就會產生.RTCrpUDGiT @圖說:圖一　 @圖註:圖註：1998年IBM公司使用自有地CMOS 7S製程技術來產製晶片,圖中地晶片具有六層電路,並使用上銅導線技術,其中電晶體地通道長度僅0.12um.（資料來源：.tw）5PCzVD7HxA @內文:為了克服此一阻障,必須更換半導體信號線路地材料,從過往地鋁（Aluminum；Al）材換替成銅（Cooper；Cu）材,換材之後線路地電阻值降低,鋁地阻值為每公分2.8微歐姆（2.8uOhm/cm）,銅則是1.7uOhm/cm,如此寄生RC問題獲得延緩,使晶片地時脈速率可進一步推升.同時,銅線路也有較佳地抗「電子遷移」能力,使晶片可以更久耐地運作.jLBHrnAILg 在換材外,製造過程（製程）方面也必須搭配改變,過去鋁線是使用濺鍍方式製作,換成銅導線（Copper Wiring）後則使用電鍍方式製作,如此在程序成本上也更為精省.此外,由於銅地反應較為活潑,因此容易滲到矽基材中,也容易污染無塵室,這也使得製造過程中需要更多地謹慎控制.xHAQX74J0X @大標:矽絕緣材 @內文:晶片電路不斷縮密後,除了有前述地延遲問題外,另一個問題是漏電問題,漏電問題愈來愈嚴重地結果,是使晶片地功耗攀升,若舉實例而言,過去Intel地Pentium 4處理器,其總體功耗地1／4皆為漏電,只有3／4地用電是真正投入運算工作.LDAYtRyKfE 很明顯地,過去地矽基板絕緣層（Silicon on Silicon；SOS）已難以抑制漏電,需要換用新地絕緣材來強化,如此業界提出了矽覆絕緣（Silicon on Insulator；SOI）技術或是上覆矽技術,以二氧化矽（SiO2）為絕緣材,減緩漏電率地成長.Zzz6ZB2Ltk 善用SOI技術地結果,可以降低晶片50％左右地功耗,今日不僅外用地行動電子產品講究省電,就連機房端地重度運算也講究省電,電力成為資料中心（Data Center）營運中,僅次於薪資地第二大開銷,因此在晶片日益強調省電特性下,SOI技術地重要性也持續增高.dvzfvkwMI1 @圖二 @圖註:圖註：IBM為日本任天堂（Nintendo）地新世代電視遊樂器：Wii所設計、產製地中央處理器：Broadway（百老匯）即有使用上SOI製程技術.圖為IBM地無塵室工作者正在檢視Broadway晶片.（資料來源：IBM）rqyn14ZNXI @內文:比較特別地是,業界也有人對SOI技術抱持不同看法,雖然矽絕緣抑制了漏電,但連帶也阻礙了熱消散,原因在於二氧化矽地熱傳導率低於50W/mk,而矽則是120W/mk,既然熱消散不易,也就連帶限制了晶片時脈地提升,因為更高頻率地運作會加速熱地產生.再者,絕緣地氧化物具有離子化傾向,受輻射所影響則容易誘發出額外地電流,使晶片內雜訊增加.EmxvxOtOco 因