微电子器件B-3-3-2015缓变基区晶体管的电流放大系数.pptVIP

3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数 1、基区内建电场形成 2、基区少子电流密度和少子浓度分布 3、基区渡越时间和输运系数 4、注入效率和电流放大系数 5、小电流时放大系数下降 6、发射区重掺杂的影响 7、异质结双极型晶体管 本节以 NPN 管为例，结电压为 VBE 与 VBC 。 P N+ N 0 xjc xje NE(x) NB(x) NC x 0 xjc xje 本节求基区输运系数 的思路 进而求出基区渡越时间 将 E 代入少子电流密度方程，求出 JnE 、nB (x) 与 QB 令基区多子电流密度为零，解出基区内建电场 E 最后求出 基区多子浓度与基区杂质分布的不均匀会在基区中产生一个内建电场 E ，使少子在基区内以漂移运动为主，所以缓变基区晶体管又称为漂移晶体管。 3.3.1 基区内建电场的形成 NB(x) NB(WB) NB(0) WB 0 x 在实际的缓变基区晶体管中， 的值为 4 ~ 8 。 设基区杂质浓度分布为 式中 是表征基区内杂质变化程度的一个参数， 当 时为均匀基区； 因为