第9章 洗淀积aa制是安定.pptVIP

第九章 薄膜淀积 9.1 薄膜淀积 淀积的氮化硅作为阻挡保护层 9.1.2 薄膜特性 在硅片加工中可以接受的膜必须具备需要的膜特性。为了满足器件性能的要求，可以接受的膜一般应具有如下特性： （1）膜对台阶的覆盖 图形制作在硅片表面生成三维的拓扑形状，这就形成了硅片表面的台阶和沟槽。如果淀积的膜在台阶上过度的变薄，就容易导致过高的膜应力，电短路或者在器件中产生步希望的诱生电荷。 膜应力要尽可能的小，因为应力会导致衬底发生凸起或凹陷的变形。 所有的淀积技术都会在膜中产生应力 膜对台阶的覆盖 （2）高的深宽比间隙 深宽比用来描述硅片上图形间隙的形貌，深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值。 对于亚0.25um尺寸的器件工艺，填充硅片表面上很小的间隙和孔的能力就成为最重要的薄膜工艺特性，例如穿过层间介质(ILD)的通孔（Via），以及浅槽隔离(STI)的槽。 高深宽比典型值大于3:1。高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，并且容易产生夹断（pinch-off）和空洞。 高深宽比的间隙 膜淀积的深宽比 （3） 厚度均匀性 薄膜要求具有均匀的厚度。因为材料的电阻会随薄膜厚度的变化而变化，同时，膜层越薄，缺陷就越多，如针孔等，这会导致膜本身的机械强度降低。 不均匀的薄膜在光刻中的影响也很大，导致侧壁倾斜，粗糙和曝光不均匀等。 对于薄膜工艺，通常需要有良好的表面平坦度来尽可能减少台阶和缝隙。 （4）膜的纯度和密度 高纯度的膜意味着膜中没有那些会影响到膜质量的化学元素或原子。要避免沾污物（如可动离子沾污）和颗粒。 膜密度也是膜质量的重要指标，它显示了膜层中针孔和空洞的多少。与无孔膜相比，一个多孔的膜的密度会更低，在一些情况下折射率也更小。 （5）化学剂量分析 理想的膜要具有均匀的组成成分。在化学反应中随着化学物质的变化，化学剂量分析可以描述反应停止或者平衡后反应物和生成物量的变化。 淀积工艺的目标之一是要在反应中有合适数量的分子，以便使淀积得到的膜的组分接近于化学反应方程式中对应的组分比例。 组分比列对膜的化学物理性质以及机械性能的影响很大。 （6）膜的结构 在淀积工艺中，淀积物趋向聚集并生成晶粒。如果膜层中晶粒大小变化，膜的电学和机械学特性就会发生变化，这将影响膜的长期可靠性。如：电迁移。 膜生长中会产生不希望的应力使得硅片衬底变形，导致膜开裂，分层或者空洞的形成。如，氮化硅薄膜中混入氢杂质会导致压缩应力。 （7）膜的粘附性 薄膜对衬底材料或下层膜材料都要有好的粘附性，以避免薄膜分层和开裂。 开裂的膜会导致膜表面粗糙，杂质也可以穿过膜。对于起隔离作用的膜，开裂会导致电短路或者漏电流。 薄膜表面的粘附性由表面洁净程度，薄膜能与之合金的材料类型等决定。 薄膜生长的步骤 不同淀积方法的应用 CVD通常用来淀积介质或金属膜。 旋涂绝缘介质应用液态介质膜，SOG是一种传统的局部平坦化方法。 电镀技术在传统硅片制造工艺中甚少使用，但是在铜互连工艺中有希望大规模使用。 溅射常用来淀积金属膜及种子层。 蒸发是制备金属膜的传统方法，在被淘汰后，在lift-off工艺中有所应用。 9.2 化学气相淀积 化学气相淀积的基本性质 工艺过程中发生化学反应。 膜中所有的材料物质都源于外部的源。 工艺中的反应物均以气相的形式参加反应。 CVD传输和反应步骤图 扩散速率沉积速率 通过扩散到达表面的气体量很大，表面反应来不及消化扩散进入的反应物，此时的机制即为表面反应限制（surface reaction limited）的；通常发生于低温时。 在CVD中的气流 在硅片表面的气流 9.3 CVD淀积系统 CVD装置原理图 化学气相淀积设备 各种反应室（反应腔示意图） 连续加工的APCVD反应炉 APCVD的问题是：高的气体消耗，并且需要经常清洁反应腔。由于膜也会淀积到传送装置上，因而传送带装置也需要洁净处理（可以是原位洁净，或是在使用中洁净）。APCVD淀积的膜通常台阶覆盖能力差。 LPCVD反应腔 LPCVD水平式炉管和垂直式炉管 等离子CVD 膜的形成：在真空腔中施加射频功率使气体分子分解，就会发生等离子体增强CVD并淀积成膜。 通过等离子CVD淀积的膜通常不具备化学定量分析特点。 PECVD的压强跟LPCVD可比拟，但是反应温度远低于LPCVD。 PECVD是典型的冷壁等离子体反应，因而产生的颗粒更少。 PECVD应用 PECVD二氧化硅 SiH4＋2N2O＝SiO2＋2N2＋2H2 PECVD氮化硅 SiH4＋NH3→SixNyHz＋H2