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36 11 Vol. 36 No. 11
第 卷 第 期 发 光 学 报
2015 11 Nov． ，
年 月 CHINESE JOUＲNAL OF LUMINESCENCE 2015
文章编号:1000-7032 (2015)11-1311-09
PLD Cu SnS
制备的 掺杂 薄膜的结构和光学特性
*
， ， ， ，
刘 磊 余 亮 李学留 汪壮兵 梁 齐
( ， 230009)
合肥工业大学电子科学与应用物理学院 安徽合肥
摘要: (PLD) Cu SnS 。 SnS Cu S
利用脉冲激光沉积 在玻璃衬底上制备了 掺杂 薄膜 靶材是由 和 2 粉末混合压
(Cu Sn 0% 、2． 5% 、5% 、7． 5% 10% )。 X (XＲD)、 (Ｒa-
制而成 和 的量比分别为 和 利用 射线衍射 拉曼光谱仪
man)、 (AFM)、 - - (UV-Vis-NIＲ)、Keithley 4200-SCS
原子力显微镜 紫外 可见 近红外分光光度计 半导体参数分析
Cu SnS 、 、 。 :
仪研究了 掺杂量对 薄膜的晶体结构 表面形貌 光学性质和电学性能的影响 结果表明 所制备的
SnS (111) ，SnS∶ 5% Cu SnS 。 Cu
薄膜样品沿 晶面择优取向生长 薄膜的结晶质量最好且具有 特征拉曼峰 随着
n
， 。 Cu 105 cm － 1
掺杂量的增大 平均颗粒尺寸逐渐增大 不同 掺杂量的薄膜在可见光范围内的吸收系数均为 数
量级。SnS∶ 5% Cu 薄膜的禁带宽度E 2． 23 eV ， 2． 59 。 ， p-SnS∶
为 光暗电导率比值为 同时 在玻璃衬底上制备了
g c
Cu /n-ZnS ，
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