Ti稳定N的三元Cu合金薄膜-西北有色金属研究院.PDF

第45 卷 第9 期 稀有金属材料与工程 Vol.45, No.9 2016 年 9 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING September 2016 Ti 稳定N 的三元Cu 合金薄膜 1,2 1 1 1,2 李晓娜 ，赵丽荣 ，郑月红 ，董 闯 (1. 大连理工大学 三束材料改性教育部重点实验室，辽宁 大连 116024) (2. 大连理工常州研究院有限公司，江苏 常州 213164) 摘 要：由于铜与氮不能生成稳定的化合物，使得渗氮的方法不能用于提高铜的表面硬度。通过在Cu 中添加能够稳定 N 的合金元素Ti ，探索提高Cu 表面硬度的有效方式。用磁控溅射法在 Si(100)基体上制备不同Ti 、N 含量的Cu 膜，对 三元Cu 合金膜进行微结构、硬度以及电阻率的分析。结果表明，加入Ti 可以使N 以钛氮化合物的形式稳定存在于Cu 薄膜中，合金薄膜的硬度比纯Cu 膜（~3.5 GPa ）有了很大的提高，特别是Cu80.2Ti9.8N 10.0 薄膜在400 ℃/1 h 退火后硬度 依然为5.4 GPa 。Ti 、N 含量高的Cu81.2Ti9.9N8.9 薄膜的电阻率（~660 μΩ·cm ）比Cu88.5Ti4.3N7.2 薄膜 （~123 μΩ·cm ）高很 多，但两薄膜的硬度却都约为5.2 GPa ，所以，薄膜中并不是Ti 、N 含量越高性能越好，因此应该合理控制各组元含量。 关键词：Cu 合金；薄膜；磁控溅射；硬度；电阻率 中图法分类号：O484.5 文献标识码：A 文章编号：1002- 185X(2016)09-2366-07 Cu 是非常理想的导电材料，但其强度较低，在很 不锈钢渗氮中的合金氮化物。另外，TiN 是一种很好 [6] 多工作条件下，硬度和耐磨性均达不到使用要求。而 的导电材料，其体材料电阻率在10 ·cm 左右 ，甚 Cu 合金作为电极或接触线材料时，性能的要求就更加 至比金属Ti 的电阻率还低，体材料TiN 的显微硬度为 苛刻了。目前提高铜的强度及化学惰性通常采用适当合 21 GPa ，且它具有很高的化学稳定性和较好的抗氧化 金化的方法，但引入大量溶质，必然带来导电率的下降。 性，其开始氧化的温度在600 ℃左右。TiN 薄膜的研究 [7] 由此，提高Cu 的使用性能，拓展其应用的核心问题是 还表明 ，当气氛中N2 含量较少时, 薄膜中存在不饱和 保持良好导电性的同时，提高其强度、降低化学反应活 的Ti N 相，这种多相共存的结构可以显著地提高薄膜 2 [8] 性等。既然合金化本身会带来上述矛盾，所以自然联想