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ECV测试曲线的理解 ECV测试曲线的理解 3.不同表面浓度的磷在硅中的扩散分布 图f表示不同表面浓度的磷在硅中的扩散分布。当表面浓度较低时（对应于本征扩散区），扩散分布为余误差函数分布（曲线a）；表面浓度逐渐增加，杂质分布开始偏离简单的余误差函数（曲线b和c）；表面浓度很高时（曲线d），靠近表面的杂质分布和曲线b相似，但在浓度 处出现拐点，之后进入一个快速扩散区域。 ECV测试曲线的理解 C.实例分析 从图i中我们可以得到以下信息： （1）测试曲线N1的结深（0.40um）大于N2的结深（0.30um）； （2）测试曲线N1的表面浓度大于N2的表面浓度； （3）在0-50nm范围内测试曲线N1的浓度梯度大于N2的浓度梯度，因此，曲线N1对烧结温度的要求要高于N2； （4）测试曲线N1的结区有效掺杂量小于N2的结区有效掺杂量，所以一般N2的开路电压和短路电流要优于N1； （5）由前述分析知道： S绿+S红=S蓝+S绿 所以，N1和N2的方块电阻值相同； ECV测试原理及相关分析 工艺部 王永伟 ECV测试原理 内 容 简 介 ECV背景介绍 ECV测试常见问题及分析 ECV测试曲线的理解 第一部分ECV背景介绍 ECV背景介绍 对于半导体器件的设计和制造而言，器件中载流子浓度、掺杂厚度以及杂质分布都是必须严格控制的参数，就要求对载流子的浓度及分布有更精确可靠的测量。目前，业界已有几种表征杂质浓度分布的方法，如扩展电阻法、电容-电压法(C-V )、二次离子质谱 (SIMS)、微分霍耳法、电化学电容-电压法(ECV) 等。这些技术各有其自身的优缺点。传统的C-V法尽管实验方法简单，有较好的分辨率及精确性，但它受限于反偏电压下的击穿，不易表征高掺杂样品和具有一定深度分布的样品以及pn结；扩展电阻法可以测量pn结且不受深度的限制，但其要求精细的样品准备、探针选择以及数据提取与校正，杂质浓度分布的表征依赖于校正因子和迁移率的选择，且由于磨角度数和探针半径的限制，用它表征几十纳米结深的超浅结非常困难；微分霍耳法通过反复测试剥层前后薄层电阻和面霍耳系数的变化可以同时测量出载 ECV背景介绍 流子浓度及迁移率的深度分布，也可以测量pn结，但精确控制超薄层的剥离和精确测量霍耳效应在技术上是巨大的挑战，尤其对于几十纳米结深的超浅结；SMIS法有较好的分辨率及精确度，也可以表征pn结，但它需要复杂昂贵的设备，同时所测出的杂质浓度是原子浓度而不是电激活杂质浓度；ECV方法利用合适的电解液既可作为肖特基接触的电极测量C-V 特性，又可进行电化学腐蚀，因此可以层层剥离测量电激活杂质的浓度分布，剖面深度不受反向击穿的限制，并可测量pn结，目前它在Ⅲ-V族化合物半导体中已有较多的应用，但ECV法对硅尤其是几十纳米结深和 以上掺杂浓度的超浅结的表征研究较少。 第二部分 ECV测试原理 ECV测试原理 半导体电化学腐蚀是根据电化学中阳极氧化及电解原理来实现的。固体物质在液体中消溶有两种方法：一种是湿法腐蚀，即在不加外电场的情况下，利用固体和液体之间的化学反应，使固体逐渐腐蚀；另一种是电化学腐蚀，即将固体置于电解液中，外加直流电压，电压正极接需要被腐蚀的固体物质，电压负极接一不被溶解且导电性良好的电极，通电后，阳极物质在电场和电解液的作用下逐渐被氧化、腐蚀。 电化学微分电容电压（Electrochemical capacitance-voltage profiler）简称ECV，它是利用电解液来形成势垒并对半导体加以正向偏压 (p型)或 反向偏压(n型并加以光照)进行表面腐蚀去除已电解的材料，通过自动装置重复“腐蚀-测量”循环得到测量曲线，然后应用法拉第定律，对腐蚀电流进行积分就可以连续得到腐蚀深度。尽管这种方法是破坏性的，但理论上它的测量深度是无限的，这种方法称之为ECV。 ECV测试原理 载流子的电荷密度为： （1） 式中， 是真空介电常数， 是半导体材料的介电常数，e 是电子电量， A 是电解液/半导体接触的面积 ， 是C-V 曲线在耗尽层边缘的斜率。 该载流子浓度所对应的总深度为： （2） 式中， 是耗尽层的深度，可由平板电容器公式求出，即 （3） 是腐蚀深度，由法拉第定律计算：