LDMOS器件仿真设计实验.docxVIP

电孑科技丈学 实验报告 实验报告 学生姓名：于全东 学 号：201322030315 指导教师：乔明 一、 实验室名称： 211楼803 二、 实验项目名称： 半导体功率器件与智能功率TC实验一一LDMOS器件仿真设计实验 三、 实验原理： 利用medici仿真实验 四、 实验目的： 通过实验，了解LDMOS器件的结构，掌握LDM0S器件的设计方法，熟悉MEDICI 软件的使用。 五、 实验内容： 完成一种700V RESURF LDMOS器件完整的设计仿真工作，其指标达到预 定要求。其屮，主要针对器件耐压、阈值电压、跨导、开态特性进行仿真优化, 确定栅氧厚度、沟道浓度、栅长、漂移区掺杂、漂移区厚度等重要的浓度和结构 参数。 通过改变漂移区浓度，获得RESURF器件的哑铃型表面电场分布。 LDMOS指标要求： BV 700V, VT 1-2V, VG 7V max 六、实验器材（设备、元器件）: MED1C1软件 七、实验步骤： LDMOS结构定义: title Idmos assign name二 assign name二nd n. val=7el4 assign name=tepi n. val 13 assign name^ld n. val 60 assign name二dsub n. val 15 assign namc=pwell n. val assign name^dpwcl1 n. val=l. 2 8cl6 8cl6 mesh smooth二1 mesh width=@ld hl=l.2 y. mesh n二 1 L二-0. 35 y.mesh n=6 L二-0.02 y. mesh n二7 1=0 y. mesh depth=0. 2 hl=0. 2 y. mesh depth=@dpwell-0. 2 hl二0. 2 y. mesh depth=@tepi-@dpwe11 hl=0. 1 h2=0. 2 y.mesh depth=@dsub hl=0. 2 h2=0. 4 h3=2 region name=si y max=@tepi silicon region name=sub y.inin二epi silicon region name=sio y. max=0 oxide electrod name=gate x. min二1.9 x? max二3? 5 y. min=一0. 35 y? max二一0. 02 electrod namc=source x. max=l. 3 y. max=0 electrod name=drain x. min二@ld-0.8 y. max=0 electrod name=sub bottom $$$$$ n drift $$$$$$$ profile region二si n-type n? peak=@nd uniform $$$$$ n-buffer $$$$ profile region二si n-type n. peak=5el6 xy.ratio二0.6 x?min二@ld-2 y. junction=@dpwoll $$$$$ p-well $$$$ profile region=si p-type n. peak=@pwell+@nd xy. ratio二0. 6 x.min二0 x. max二2. 6 y- junction=@dpwell profile region二si p-type n.peak=lc20 x. min=0 x. max=2.6 y. min=@dpwoll-0. 6 y. max=@dpwell一0. 1 uniforin $$$$ n+/p+ source $$$$ xy. ratio二0.4 x. min=0 x. max=lxy. ratio=0. 4 x. min=l x. max=2 xy. ratio二0.4 x. min=0 x. max=l xy. ratio=0. 4 x. min=l x. max=2 y. junction二0. 2 profile region二si n-type n.peak=le20 y. junction二0. 2 $$$ drain $$$ profile region二si n-type n. peak二le20 xy. ratio二0. 4 x. min二@】dT y. junction=0. 2 $$$$$ psub $$$$$$$ profile region二sub p-typc n?peak=5el4 uniform regrid ignore=sio doping logarith ratio二1 smooth二1 cos.angle二0. 8 $$$