4薄膜的化学气相沉积.ppt

薄膜的化学气相沉积 4 薄膜的化学气相沉积 化学气相沉积(CVD) 技术：利用气态先驱反应物， 通过原子、分子间化学反应的途径生成固态薄膜的 技术。 Chemical Vapor Deposition 特点：相对较高的压力环境 （沉积几率受气压、温度、气体组成、气体 激发态、薄膜表面状态等复杂因素的影响； 无阴影效应，可均匀涂敷在复杂零件的表面） 用途： ①固体电子器件所需的各种薄膜、轴承和工 具的耐磨涂层、发动机或核反应堆部件的高 温防护涂层等； ②高质量半导体晶体外延、各种介电薄膜、 绝缘材料薄膜等，如MOS场效应管中多晶Si、 SiO2、SiNx等薄膜。 优点： ①可用于各种高纯晶态、非晶态的金属、半 导体、化合物薄膜的制备； ②能有效控制薄膜的化学成分，生产效率 高，设备和运转成本低，与其他相关工艺相 容性较好等。 4.1 化学气相沉积反应的类型 4.1.1 热解反应 ——氢化物、羰基化合物和有机金属化合物 4.1.2 还原反应 ——卤化物、羰基化合物、卤氧化物等 4.1.3 氧化反应 4.1.4 置换反应 ——反应先驱物以气态存在且具有反应活性 先驱物为单质： 4.1.5 岐化反应 4.1.6 气相输运 当物质升华温度不高时，利用升华和冷凝的可 逆过程实现气相沉积。 4.2 化学气相沉积的热力学 利用热力学理论可以预测特定的反应或过程是 否有可能发生，但不能保