第二章特 n结.ppt

半导体器件物理 第二章 p-n结 §2.1 热平衡下的pn结 §2.2 耗尽区（耗尽层）和耗尽层电容 §2.3 pn结的直流特性 §2.4 pn结的瞬态特性 §2.5 结击穿 §2.6 异质结与高低结 PN结简介 pn结作为整流、开关及其他用途的器件，同时也是半导体微波器件及光电器件的基本结构，也是双极型晶体管、可控硅整流器和场效应晶体管的基本组成部分。 pn结最重要的性质是整流效应，即只允许电流一个方向通过。 典型的伏安特性：加正向偏置电压时，电流随偏压的增加而迅速增大，通常正向偏压1V。加反向偏压时，开始时几乎没有电流，反向电压增加时，电流一直很小。当电压加到一个极限值时，电流突然增加，这种现象称为结击穿，反向击穿电压大约10V～10KV，与掺杂及器件其他参数有关。 理想二极管 ENIAC 电子数字积分计算机（1946） 平面工艺中主要工序 （1）外延生长 （2）氧化 （3）杂质扩散 （4）离子注入 （5）光刻 ?晶体生长与外延 —从熔体中生长单晶：直拉法(Si)和布里奇曼法(GaAs) 原材料：石英砂 SiC(固体)+SiO2(固体)?Si(固体)+SiO(气体)+CO(气体) 冶金级硅 电子级硅（ppb量级） 硅片成形:前处理?切片?双面研磨?抛光 —外延：除常规外延工艺(如气相外延 VPE)外，还有液相生长法（广泛 应用于化合物半导体）及绝缘体 上硅分子束外延等。 ?氧化与薄膜淀积 —四大类薄膜： 热氧化膜、电介质膜、多晶硅膜和金属膜 —热氧化膜：如栅氧化层、场氧化层 —介质膜：如淀积的SiO2、Si3N4膜（绝缘层、掩蔽膜、覆盖在掺杂的薄膜上、钝化） —多晶硅膜：MOS栅、多层金属化的导电材料、浅结器件的接触材料 —金属膜：如铝和硅化物（欧姆接触、整流、互连线） 介质淀积 常压化学气相淀积（APCVD) 低压化学气相淀积（LPCVD) 等离子增强化学气相淀积(PECVD)： (因素：衬底温度、淀积速率和膜的均匀性、表面形貌、电学和机械性能，以及介质膜的化学组分） 其中PECVD温度低：亚微米以下,低温淀积就变得更为重要，以减少热扩散，驰豫等。 淀积SiO2并不能代替热生长SiO2 淀积Si3N4（?=7.5)：钝化、选择氧化掩膜 多晶硅淀积 MOS器件栅极 浅结且欧姆接触好 多晶硅掺杂：扩散、离子注入或原位掺杂 金属化 物理气相淀积：蒸发(钨丝加热、射频感应加热、电子束）、溅射（“靶”） 化学气相淀积：如淀积难熔金属W、Mo、Ti等 2MCl5+5H2 2M+10HCl ?铝的金属化：尖楔（硅的溶解集中在几个点)及电迁移(电流作用下的金属质量转移现象）问题 ?硅化物：TiSi2等电阻率相当低 形成方法：1）Polysilicon上淀积一层金属膜并进行加温烧结;2)同时溅射或蒸发金属和硅;3)CVD ?扩散与离子注入 用可控制数量的杂质掺入半导体 ?扩散：掺杂分布主要由扩散温度及扩散时间决定，用于形成深结： 扩散流密度F(单位时间通过单位面积的杂质原子数）： C为杂质浓度，D是扩散系数 ?扩散过程的基本起因是浓度梯度 ?扩散结果评价：结深（染色法）、薄层电阻（四探针法）、扩散层杂质分布（SIMS） ?杂质再分布 ?离子注入：掺杂分布主要由离子质量和注入离子的能量决定（典型的离子能量是30-300keV,注入剂量是在1011-1016离子数/cm2范围），用于形成浅结 ?由于离子注入形成损伤区和畸变团，为了激活注入的离子：退火 ?光刻—图形曝光与刻蚀 —0.1?m以内仍采用光学光刻技术 —短波长的射线：1nm波长软X射线、13nm波长极紫外线、电子束 §2.1 热平衡下的pn结 在界面处存在空穴和电子的浓度梯度，使得空穴由P区向N区扩散，电子由N区向P区扩散，两者都在扩散过程中通过复合而逐渐消失。这样，在结两侧附近电中性被破坏，杂质离子显露出电性，称为空间电荷。 空间电荷区：存在空间电荷的区域 自建电场（或内建电场） 这种平衡是一种动态平衡。 1. 热平衡下P区与N区的费米能级相等 所谓平衡P-N结，即指无外界作用且温度恒定的P-N结。 费米能级在整个样品内必须为常数。 耗尽近似条件 “耗尽近似”条件 在P-N结的理论分析中，为简化问题的处理，常常假设空间电荷区中正负电荷密度完全由电离杂质浓度决定，从而忽略自由载流子的影响。 耗尽区 从中性区向结移动时，将遇到一个狭窄的过渡区，此处的杂质离子部分地被可动载流子补偿，经过过渡区就是完全耗尽区，其中可动的载流子浓度为零，这个区称为耗尽区，