《模拟电子技术基础》场效应管及其放大电路.pptVIP

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  • 2019-03-12 发布于江西
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《模拟电子技术基础》场效应管及其放大电路.ppt

N沟道JFET的工作原理: (1)vGS对导电沟道和漏极电流的控制作用 c)当PN结的反向电压足够大时, 两个PN结的耗尽层合拢,导电沟道消失,漏源间的电阻最大。 对应于导电沟道刚刚消失的栅源电压称为夹断电压,用VP表示。 c) vGS VP, 导电沟道消失 如果在漏源之间作用正电压vDS,则在vGS由0至VP的变化过程中,导电沟道电阻逐渐增大,漏极电流iD逐渐减小。实现了栅源电压对漏极电流的控制。 (2)vDS对导电沟道和漏极电流iD的影响 N沟道JFET的工作原理: 设VPvGS0,且vGS为定值。 a) vDS vGS-VP 当作用正的漏源电压vDS时,使PN结的反向电压增大,另一方面在导电沟道中产生电流,即漏极电流iD。 PN结的宽度不同,即漏极端宽、源极端窄 a) vDS vGS-VP b) vDS =vGS-VP b) vDS =vGS-VP 当vDS增大到使PN结漏极端的反向电压等于夹断电压,即vDS-vGS=|VP|时, 漏极端的2个PN结合拢,导电沟道发生预夹断; 再增加vDS,则预夹断向源极方向延伸,如图c)所示。 c) vDS vGS-VP c) vDS vGS-VP 预夹断前,沟道电阻基本不变,漏极电流iD随vDS线性增加。 预夹断后漏极电流基本保持预夹断前的电流,不再随

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