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上节重点回顾 半导体能带 导电机制 光生伏特效应 p-n结 半导体的光吸收 光伏行业产业链(晶体硅) 电子级硅废料是光伏行业最初的原料来源 目前,西门子法生产的多晶硅占世界总产量的77% 根据中间化合物的不同,化学提纯多晶硅可分为不同的技术路线。目前,在工业中广泛应用的技术主要有: 2.1改良西门子法 三氯氢硅氢还原法于1954年由西门子公司研究成功,因此又称为西门子法,是广泛采用的高纯多晶硅制备技术,国际上生产高纯多晶硅的主要大公司都采用该技术,包括瓦克、海姆洛克和德山。 主要化学反应主要包括以下2个步骤: 1、三氯氢硅( )的合成; 2、高纯硅料的生产: 得到高产率和高纯度三氯氢硅( )的3个严格的化学反应条件: 1、反应温度在300℃-400℃之间; 2、氯化氢气体(HCI)必须是干燥无水的; 3、工业硅( )须经过破碎和研磨,达到适合的粒径。 改良西门子法多晶硅制备工艺原理图 改良西门子法的关键技术 改良西门子法——为闭环式三氯氢硅氢还原法。在西门子法工艺的基础上,通过增加还原尾气干法回收系统,四氯化硅氢化工艺,实现了闭路循环。改良西门子法包括5个主要环节:三氯氢硅合成,三氯氢硅精馏提纯,三氯氢硅的氢还原,尾气的回收和四氯化硅的氢化分离 实现了真正的全闭环操作; 能耗相对低、产量高、质量稳定,采用综合利用技术,对环境不产生污染(三氯氢硅和四氯化硅均有腐蚀性)。 2.2 硅烷热分解法 目前,只有挪威REC公司下属的Asimi公司和美国MEMC公司利用此法生产多晶硅 硅烷热分解法制备多晶硅的优点 硅不发生化学反应 通过物理方法(如真空熔炼、定向凝固等)实现硅的提纯 冶金法提纯太阳能级多晶硅的工艺路线图 MP法在纯度上的进展 制造商 纯度 主要技术 Timminco(加拿大) 5n+ Metallurgical,DSS JFE(日本川崎) 6n Ion Beam, E-beam Elkem(挪威) 6n- Hydro-, metallurgical 宁夏银星 6n- Hydro-, powder-, vacuum 上海普罗 6n- Vacuum,Hydro- 进入量产的冶金法太阳能级多晶硅公司 公司 目前规模(吨/年) 2010年规模 Company Current Scale Capacity of 2010 Timminco 2000 5000 Elkem 1500 3000 (end 2010) JFE 200 800 (April 2010) Ningxia Power 1300 2000 (June of 2010) Propower 400 1500 (end of 2010) Jaco 1000 N/A 中国冶金法多晶硅企业在冶金法多晶硅的水平 2.4 流化床法 挪威REC,德国Wacker,美国Hemlock和MEMC公司 流化床法原理 以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内高温高压下生成三氯氢硅,在将三氯氢硅进一步歧化加氢生成二氯二氢硅,继而生成硅烷气。 制得的硅烷气通入加入小颗粒硅粉的流化床内进行连续加热分解,生成大颗粒多晶硅产品。 流化床反应器是一种利用气体或液体通过颗粒状固体层而使固体颗粒处于悬浮运动状态,并进行气固相反应过程或液固相反应过程的反应器。 优点:在流化床内参与反应的硅面积 大,生产效率高,电耗低与与 成本低,适用于大规模生产太 阳能多晶硅 缺点:安全性差,危害性大,产品纯度不高 流化床法—制备粒状硅 世界多晶硅产能和产量(2008-2010) 中国多晶硅产能和产量(2005-2009) 中国太阳能级多晶硅产量的发展 3.1 直拉单晶硅 3.2 区熔单晶硅 根据生长方式的不同,可以分为区熔单晶硅和直拉单晶硅 区熔单晶硅主要应用于大功率器件方面,只占单晶硅市场很小的一部分,在国际市场上约占10%左右 直拉单晶硅主要应用于微电子集成电路和太阳电池方面,是单晶硅的主题 与区熔单晶硅相比,直拉单晶硅的制造成本相对较低,机械强度较高,易制备大直径单晶 太阳电池领域主要应用直拉单晶硅,而不是区熔单晶硅。 1、多晶硅的装料和熔化 2、种晶 3、缩颈 4、放肩 5、等径生长 6、收尾等 步骤1:多晶硅的装料和熔化 首先将高纯多晶硅粉碎至适当的大小,并在硝酸和氢氟酸的混合酸液中清洗去除外表面,以除去可能的金属等杂质,然后放入高纯的
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