第2章2双极型晶体管.pptVIP

“龙 芯” 资 料;2.4 双极型晶体管;1 理想化的本征结构;;电流关系表示为矩阵形式： IES、ICS和ISS为BE、BC和SC结的饱和电流，NE、NC、NS分别为三个结的发射系数，?是电流增益。 ;若忽略衬底结SC的影响，则： ?F和?R分别为正向和反向的共基电流放大系数。 双极晶体管4个区域 ;2.4.1 直流放大原理;双极晶体管的两种形式：NPN和PNP;双极晶体管的结构和版图示意图;（2）实际结构和杂质分布 ;（3）偏置方式 正向放大：发射结正偏，集电结反偏 反向放大：发射结反偏，集电结正偏 截止状态：发射结反偏，集电结反偏 饱和状态：发射结正偏，集电结正偏 ;（4）晶体管电路连接方式 根据公共端不同，分为三种： 共基极、共射极、共集电极 共基极有助理解晶体管放大作用的物理过程，而共发射极具有较大的放大能力，应用较广。;2 直流电流传输过程;发射区向??区注入的电子远大于基区的平衡少子电子的数量，，因此在发射结的基区一侧边界就有非平衡少子的积累，形成非平衡少子电子在基区的扩散运动。;根据上述分析，在发射结正偏、集电结反偏时，晶体管内部的电流传输如图所示：;2.3 NPN 晶体管的电流输运机制;电子流;（1）发射效率与基区输运系数： 发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度 基区宽度尽量小，基区中非平衡少子的寿命尽量大。 注入效率? 基区输运系数β* ;直流电流的理论表征 第一项是发射区多数载流子电流与发射极总电流的比值，即注入效率?。 第二项是离开基区的少数载流子与发射区注入到基区输运的少数载流子的比值，即输运系数β* 。 第三项是总的集电极与从基区进入集电区的电子电流之比，称为收集效率。;定量分析可得：;;三个区域： 饱和区 放大区 截止区;减小发射区方块电阻，即增益发射区的掺杂浓度。 增大基区的方块电阻，即减少基区的掺杂浓度，但要适量，否则引起副作用。 减小基区宽度Wb 增大Lnb，即提高基区非平衡少子的寿命 增大λ，使基区杂质分布尽量陡峭。 ;2.4.2 影响晶体管直流特性的其他原因;2 大电流效应;（2）大注入效应：;（3）电流集边效应：;3 晶体管小电???特性;2.4.3 晶体管的击穿电压;2.4.4 晶体管的频率特性;2 晶体管频率特性参数;;3. 频率特性和结构参数的关系;2.4.5 晶体管模型和模型参数;;;5. BJT的特点;输入电容由扩散电容决定;缺点：;当代BJT结构;HBT(Heterojunction Bipolor Transistor )是利用不同禁带宽度的化合物半导体材料构成的新型器件，其纵向结构如图。 典型npn的HBT的发射区 是化合物半导体材料n型 AlGaAs制成的，基极是 p型GaAs制成的，集电 极是用n型GaAs制成。 因此发射结为AlGaAs和 GaAs构成的异质结。;通过发射结的电子流与空穴电流之比为;资 料