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基于GMR传感器的4-20+mA两线变送器芯片设计.pdf

2015年4月15日 现代电子技术 Apr.2015 第38卷第8期 ModernElectronicsTechnique Vol.38No.8 159 159 基于GMR传感器的4~20 mA两线变送器芯片设计 吴 迪,钱正洪,朱华辰,白 茹 (杭州电子科技大学 磁电子中心,浙江 杭州 310018) 摘 要:巨磁电阻(GMR)传感器具有灵敏度高、线性度好、磁滞小等优异的性能,在工业控制等方面应用广泛。在涉及 信号长距

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