谈有机晶体激活能.pdf

维普资讯 1997年第3期 (台总第97期) 衡阳师专学报 NO3 1997 (CombinedSum 97) (自然科学第l5尝第 1期(总第z5期)) Jouarna]ofHengyangTeachers’Co1]ege (NaturalScienceV0ll5 No1) ] 谈有机晶体激活能 高 峰 0—7 (衡阳师专物理柔 湖南衡阳 421008) 摘 要 Vannikov和Boguslavskii在1970年建立了有机晶体的暗电导率表达式，本文对式中出现的激活 能进行了详尽的物理解释。 关键词 童垫曼笠 皇量生堂!垦 分类号 043 0 引 言 无机晶体的结构特征通常是其晶格中原子间存在较强的共价键或者离子键，因此可以 通过密堆积结构中原子轨道重叠的强交换相互作用而很容易地发生电荷输运。可是，有机晶 体中键链主要由分子之间的范德瓦耳斯力或伦敦力形成，因此键相当弱，同时分子轨道重叠 和分子问电子交换也弱，使其具有能带隙宽、迁移率低等特点，这对电荷输运是极为不利的。 但是，由于有机材料(特别是结晶有机材料)在固体电子器件中具有广阔的应用前景以及作 为研究普通分子固体中电子过程的典型材料，并且因为普通分子固体的电子过程又与有机 物质的性质直接相关，所以它们对于人们理解生物体系的特性具有重要的意义 因此，本世 纪六十年代末期以来，有机晶体中的电输运问题已成为越来越重要的研究课题，人们对有机 晶体的电导率产生了极大的兴趣 1970年，Vannikov和Boguslavskii利用在低电场下的轻 微注入电极测量了许多有机半导体材料的暗电导率 ]，并得到了如下表达式 一 。exp[一△Eo／2KT] (1) 式中 是波尔兹曼常数，T是样品温度，△E 称为激活能 称为指数前系数。多年来，人们 对萘、蒽、丁省等有机材料进行了大量的实验，所得结果与上式符台得较好。然而，(1)式中的 激活能△E 却没有得到清晰的物理解释，即便偶尔有人论及过，也是不全面的，这是因为有 机半导体材料的电导可能涉及到不同的输运过程，比无机材料的电导过程要复杂得多 激活能的解释及其激发机理 根据固体中的电输运理论，电导率的基本方程为 收稿 日期，l996一l2一z5 维普资讯 第1期 高 峰 谶有机晶体擞措船 85 一q【+ ) (2) 式中 、 分别是载流子为电子和空穴的迁移率，和P可分别表示为 I1=Ncexp[(Eh—Ec)／KT~ ：2(2 T／^)。exp[(E 一Ec)／KTJ (3) p=Nvexp[(E一 )／KT] =2(2 T／)exp[(Ev—ErP)／KT) (4) 式中Ⅳc、Ⅳ 分别是导带和价带的等效态密度，％ 、m 分别是有效电子和有效空穴质量， 、Ev分别是导带边和价带边能级…E E 分别是电子和空穴的准费密能级 将(1)、(2)、 (3)、(4)结合起来进行比较可知，如果 Nc、 Nv与温度无关，则△E，就可能与热生成载 流子的激发能有关。如果△E可以根据电导率的阿伦尼乌斯型的温度关系导出，则在相应 的温度范围内， n、—P与温度几乎是无关的。因此，对激活能可有如下几种解释： 1)就本征电导而言，激活能△E相当于能带隙的宽度是显然的。而对于非本征电导，则 有两种情况：a．对n型非本征电导，△E等于施主能级和导带边之间的距离；6．对P型非本 征电导，△E则等于受主能